Đề tài góp phần bổ sung thêm vào các hiểu biết khoa học về vật liệu có cấu trúc thấp chiều nói chung và ZnS nói riêng. Nghiên cứu sự ảnh hưởng của của các điều kiện chế tạo lên tính chất quang giúp chế tạo được các cấu trúc thấp chiều bằng phương pháp bốc bay nhiệt có vùng phát quang mong muốn, từ đó mở rộng thêm khả năng ứng dụng của vật liệu cấu trúc thấp chiều ZnS trong phát triển các linh kiện quang điện tử như laze, pin mặt trời | Tóm tắt Luận văn tiến sĩ Khoa học vật liệu: Nghiên cứu tính chất quang của cấu trúc một chiều ZnS chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI Nguyễn Văn Nghĩa NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA CẤU TRÚC MỘT CHIỀU ZnS CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP BỐC BAY NHIỆT Ngành: Khoa học vật liệu Mã số: 9440122 TÓM TẮT LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU Hà Nội – 2018 Công trình được hoàn thành tại: Trường Đại học Bách khoa Hà Nội Người hướng dẫn khoa học: 1. TS. Nguyễn Duy Hùng 2. TS. Nguyễn Duy Cường Phản biện 1: Phản biện 2: Phản biện 3: Luận án được bảo vệ trước Hội đồng đánh giá luận án tiến sĩ cấp Trường họp tại Trường Đại học Bách khoa Hà Nội Vào hồi giờ, ngày tháng năm Có thể tìm hiểu luận án tại thư viện: 1. Thư viện Tạ Quang Bửu - Trường ĐHBK Hà Nội 2. Thư viện Quốc gia Việt Nam MỞ ĐẦU 1. Lý do chọn đề tài - Việc nghiên cứu chế tạo các cấu trúc thấp chiều của ZnS trên các loại đế silic có và không có lớp SiO2 đã được một số nghiên cứu thực hiện. Tuy nhiên, những ảnh hưởng của lớp SiO2 này lên thành phần, pha và đặc biệt là tính chất quang của các cấu trúc thấp chiều ZnS chưa được nghiên cứu một cách hệ thống. - Các cấu trúc thấp chiều ZnS chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt thường quan sát thấy các phát quang do sai hỏng và phát quang do chuyển tiếp gần bờ vùng của ZnS thường yếu hoặc không quan sát được. - Các nghiên cứu về vật liệu lai hóa ZnS-ZnO mới chỉ dừng lại ở việc nghiên cứu về sự tăng cường phát huỳnh quang nhưng chưa nói rõ cơ chế, hơn nữa hiện tượng tăng cường phát laze của hệ vật liệu này chưa được quan tâm nhiều. - Khi pha tạp một số ion kim loại chuyển tiếp vào mạng nền ZnS, các công bố trước đây thường tập trung vào việc tối ưu hóa nồng độ của ion tạp để thu được hiệu suất phát quang lớn nhất của các chuyển dời liên quan đến các ion này. Việc nghiên cứu ảnh hưởng của một số ion kim loại chuyển tiếp .
