Effect of the ceria dopant on the structural and dielectric properties of ZnO semico nductors

All the samples exhibit a normal dielectric dispersion behavior, . it decreases with increasing frequency due to the MaxwelleWagner type of interfacial polarization. The ac conductivity data was used to evaluate the maximum barrier height, the minimum hoping distance, and the density of localized states at Fermi level. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.