Việc mở rộng quy mô của chất bán dẫn oxide metal bổ sung CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) đã dẫn đến lớp SiO2 (Silicon dioxide) được sử dụng làm điện môi cổng trở nên quá mỏng (~ nm) làm cho dòng điện rò cổng quá lớn. | Hội nghị Quốc gia lần thứ 23 về Điện tử Truyền thông và Công nghệ Thông tin REV-ECIT2020 Nghiên Cứu Nâng Cao Đặc Tính MOSFET Bằng Cách Thay Đổi Vật Liệu Lớp Cách Điện Tô Hồng Tân Võ Đình Hiếu và Thân Hồng Phúc Khoa Điện Điện tử Trường Công Nghệ Đại Học Duy Tân 3 Quang Trung Hải Châu Đà Nẵng Việt Nam Email thanhongphuc@ Abstract Việc mở rộng quy mô của chất bán dẫn oxide tác giả đã tìm hiểu và nghiên cứu cách thức hoạt động metal bổ sung CMOS Complementary Metal Oxide của bóng bán dẫn transistor hiệu ứng trường MOSFET Semiconductor đã dẫn đến lớp SiO2 Silicon dioxide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor được sử dụng làm điện môi cổng trở nên quá mỏng các vật liệu được sử dụng làm đế bán dẫn MOSFET nm làm cho dòng điện rò cổng quá lớn. Do đó thay thế các vật liệu cách điện mới được sử dụng làm điện môi SiO2 bằng một vật liệu oxide mới có độ dày vật lý lớn cổng MOSFET cũng như những khó khăn trong việc hơn và có hằng số điện môi cao hơn high-k như HfO2 đưa được những vật liệu mới vào sử dụng và việc phải Al2O3 là cần thiết. Bằng cách sử dụng các vật liệu high-k thu nhỏ MOSFET ở mức tối ưu nhất. này chúng ta có thể tăng độ dày của lớp cách điện để giảm dòng rò cổng nhưng vẫn đảm bảo duy trì được tính Để đáp ứng được nhu cầu ngày càng phát triển của năng của bóng bán dẫn MOSFET Metal Oxide công nghệ ngành bán dẫn đã thay đổi liên tục và phát Semiconductor Field Effect Transistor . Tuy nhiên triển rất nhanh trong những năm qua. Theo sau sự phát những vật liệu high-k này lại có các đặc tính điện tử kém triển đó là các thiết bị bán dẫn ngày càng được thiết kế hơn SiO2 chẳng hạn như xu hướng kết tinh và nồng độ nhỏ lại nhờ đưa vào sử dụng vật liệu Si Silicon mà từ cao của các khiếm khuyết điện tử. Vì vậy các nghiên cứu đó chúng ra đã tạo ra được những tấm Si Wafer. Trên chuyên sâu đang được tiến hành để phát triển các vật các tấm Si Wafer đó cho phép chúng ta tăng rất nhiều liệu oxide này thành các vật liệu mới có tính năng vượt số lượng .
