Tiếp nội dung phần 1, Giáo trình Điện tử cơ bản-lý thuyết và thực hành: Phần 2 được biên soạn gồm các nội dung chính sau: Transistor hiệu ứng trường – FET; Linh kiện có vùng điện trở âm; Mạch khuếch đại thuật toán. Mời các bạn cùng tham khảo! | Chương 4 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG MỞ ĐẦU Khác với BJT cấu tạo bởi 2 lớp tiếp giáp P N dùng cả 2 loại hạt dẫn đa số và thiểu số transistor hiệu ứng trường FET field effect transistor làm việc theo nguyên lý điều khiển độ dẫn điện của phiến bán dẫn bởi điện trường ngoài và chỉ dùng một loạt hạt dẫn đa số. FET có các tính năng ưu việt hơn điện trở vào lớn hệ số khuếch đại cao ít tiêu thụ năng lượng thích hợp cho công nghệ vi điện tử KHÁI NIỆM Transistor hiệu ứng trường là linh kiện bán dẫn có tổng trở vào rất lớn dòng điện ở lối ra được tăng bằng cách tăng điện áp ở lối vào mà không đòi hỏi tăng dòng điện như BJT. Ở loại transistor này điện áp sẽ tạo ra một trường và trường này tạo ra một dòng điện ở lối ra. Có hai loại transistor FET - JFET Junction field effect transistor dùng tiếp giáp N - P. - IGFET Isolated gate field effect transistor có cực cửa cách ly còn có cách gọi theo công nghệ chế tạo là MOSFET Metal oxide semiconductor field effect transistor JFET . Cấu tạo - Ký hiệu JFET kênh N gồm một thỏi bán dẫn Si loại hình trụ có điện trở suất khá lớn mật độ tạp donor thấp gắn hai sợi kim loại ở đáy trên và đáy dưới. Người ta gọi đáy trên là cực máng D drain và đáy dưới là cực nguồn S Source . Bao quanh thỏi bán dẫn loại N là một lớp bán dẫn loại P gắn với một sợi kim loại dùng làm cực G Gate . Tiếp giáp N-P này tạo thành một vùng nghèo có điện trở suất khá lớn phần thể tích còn lại của thỏi Si không bị vùng nghèo chiếm chỗ gọi là kênh dẫn. JFET kênh P dùng thỏi Si hình trụ loại P và lớp bao quanh loại N. 129 D D N P G G P P N N S S FET kênh N FET kênh P Hình Cấu tạo JFET kênh N và FET kênh N Ký hiệu D D G G S JFET N JFET P S Hình Ký hiệu JFET kênh N và FET kênh P . Nguyên lý làm việc Hình là mạch khuếch đại dùng JFET kênh N. Nguồn VDD qua điện trở thiên áp RD đặt điện áp VDS .
