Báo cáo tài liệu vi phạm
Giới thiệu
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Sức khỏe - Y tế
Văn bản luật
Nông Lâm Ngư
Kỹ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
THỊ TRƯỜNG NGÀNH HÀNG
NÔNG NGHIỆP, THỰC PHẨM
Gạo
Rau hoa quả
Nông sản khác
Sữa và sản phẩm
Thịt và sản phẩm
Dầu thực vật
Thủy sản
Thức ăn chăn nuôi, vật tư nông nghiệp
CÔNG NGHIỆP
Dệt may
Dược phẩm, Thiết bị y tế
Máy móc, thiết bị, phụ tùng
Nhựa - Hóa chất
Phân bón
Sản phẩm gỗ, Hàng thủ công mỹ nghệ
Sắt, thép
Ô tô và linh kiện
Xăng dầu
DỊCH VỤ
Logistics
Tài chính-Ngân hàng
NGHIÊN CỨU THỊ TRƯỜNG
Hoa Kỳ
Nhật Bản
Trung Quốc
Hàn Quốc
Châu Âu
ASEAN
BẢN TIN
Bản tin Thị trường hàng ngày
Bản tin Thị trường và dự báo tháng
Bản tin Thị trường giá cả vật tư
Tìm
Danh mục
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Y tế sức khỏe
Văn bản luật
Nông lâm ngư
Kĩ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
NGÀNH HÀNG
NÔNG NGHIỆP, THỰC PHẨM
Gạo
Rau hoa quả
Nông sản khác
Sữa và sản phẩm
Thịt và sản phẩm
Dầu thực vật
Thủy sản
Thức ăn chăn nuôi, vật tư nông nghiệp
CÔNG NGHIỆP
Dệt may
Dược phẩm, Thiết bị y tế
Máy móc, thiết bị, phụ tùng
Nhựa - Hóa chất
Phân bón
Sản phẩm gỗ, Hàng thủ công mỹ nghệ
Sắt, thép
Ô tô và linh kiện
Xăng dầu
DỊCH VỤ
Logistics
Tài chính-Ngân hàng
NGHIÊN CỨU THỊ TRƯỜNG
Hoa Kỳ
Nhật Bản
Trung Quốc
Hàn Quốc
Châu Âu
ASEAN
BẢN TIN
Bản tin Thị trường hàng ngày
Bản tin Thị trường và dự báo tháng
Bản tin Thị trường giá cả vật tư
Thông tin
Tài liệu Xanh là gì
Điều khoản sử dụng
Chính sách bảo mật
0
Trang chủ
Kỹ Thuật - Công Nghệ
Cơ khí - Chế tạo máy
Silicon Carbide Materials Processing and Applications in Electronic Devices Part 13
Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Silicon Carbide Materials Processing and Applications in Electronic Devices Part 13
Khánh Quyên
119
35
pdf
Không đóng trình duyệt đến khi xuất hiện nút TẢI XUỐNG
Tải xuống
Tham khảo tài liệu 'silicon carbide materials processing and applications in electronic devices part 13', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | 410 Silicon Carbide - Materials Processing and Applications in Electronic Devices 2. Needs insulation problematic and constraints The high temperature range and the applicative needs are presented in the first part of this section. Silicon carbide arises today as the solution for above 200 C operations on the semiconductor point of view. The roles and the types of dielectrics in the current semiconductor devices are described then. Insulating passivation encapsulation and substrate involving polymeric or ceramic materials are the main insulating functions to be satisfied by the device packaging. Besides the high temperature requirement the specific constraints on these materials and their assembly due to the use of SiC are presented at last. 2.1 Needs for high temperature semiconductor devices Silicon being the most widely used semiconductor material for active devices active devices the latter maximal operating junction temperature Tj limitation fixes the threshold for the high temperature denomination. Hence operations or environments above 200 C are qualified as high temperature 200 C being the highest maximal operating temperature for available silicon devices. For a long time the list of high temperature electronics markets has been given as follows deep well logging 300 C geothermal research 400 C space exploration 500 C for which the common points are the high ambient temperature Ta of the environment as indicated into brackets and their niche specificity. The self -heating of semiconductor devices under operation has been identified as a predictable limitation for the silicon based electronics development for a while as well. Today the trends for higher integration or more elevated power level leading to Tj higher than 200 C increase the list of the high temperature device markets. In fact a simple relation between the junction temperature and the power losses Pd dissipated through the device can be written as follows Tj P T 1 where Rthja is the thermal .
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
Silicon Carbide Materials Processing and Applications in Electronic Devices Part 1
Silicon Carbide Materials Processing and Applications in Electronic Devices Part 2
Silicon Carbide Materials Processing and Applications in Electronic Devices Part 3
Silicon Carbide Materials Processing and Applications in Electronic Devices Part 4
Silicon Carbide Materials Processing and Applications in Electronic Devices Part 5
Silicon Carbide Materials Processing and Applications in Electronic Devices Part 6
Silicon Carbide Materials Processing and Applications in Electronic Devices Part 7
Silicon Carbide Materials Processing and Applications in Electronic Devices Part 8
Silicon Carbide Materials Processing and Applications in Electronic Devices Part 9
Silicon Carbide Materials Processing and Applications in Electronic Devices Part 10
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.