Báo cáo tài liệu vi phạm
Giới thiệu
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Sức khỏe - Y tế
Văn bản luật
Nông Lâm Ngư
Kỹ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
THỊ TRƯỜNG NGÀNH HÀNG
NÔNG NGHIỆP, THỰC PHẨM
Gạo
Rau hoa quả
Nông sản khác
Sữa và sản phẩm
Thịt và sản phẩm
Dầu thực vật
Thủy sản
Thức ăn chăn nuôi, vật tư nông nghiệp
CÔNG NGHIỆP
Dệt may
Dược phẩm, Thiết bị y tế
Máy móc, thiết bị, phụ tùng
Nhựa - Hóa chất
Phân bón
Sản phẩm gỗ, Hàng thủ công mỹ nghệ
Sắt, thép
Ô tô và linh kiện
Xăng dầu
DỊCH VỤ
Logistics
Tài chính-Ngân hàng
NGHIÊN CỨU THỊ TRƯỜNG
Hoa Kỳ
Nhật Bản
Trung Quốc
Hàn Quốc
Châu Âu
ASEAN
BẢN TIN
Bản tin Thị trường hàng ngày
Bản tin Thị trường và dự báo tháng
Bản tin Thị trường giá cả vật tư
Tìm
Danh mục
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Y tế sức khỏe
Văn bản luật
Nông lâm ngư
Kĩ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
NGÀNH HÀNG
NÔNG NGHIỆP, THỰC PHẨM
Gạo
Rau hoa quả
Nông sản khác
Sữa và sản phẩm
Thịt và sản phẩm
Dầu thực vật
Thủy sản
Thức ăn chăn nuôi, vật tư nông nghiệp
CÔNG NGHIỆP
Dệt may
Dược phẩm, Thiết bị y tế
Máy móc, thiết bị, phụ tùng
Nhựa - Hóa chất
Phân bón
Sản phẩm gỗ, Hàng thủ công mỹ nghệ
Sắt, thép
Ô tô và linh kiện
Xăng dầu
DỊCH VỤ
Logistics
Tài chính-Ngân hàng
NGHIÊN CỨU THỊ TRƯỜNG
Hoa Kỳ
Nhật Bản
Trung Quốc
Hàn Quốc
Châu Âu
ASEAN
BẢN TIN
Bản tin Thị trường hàng ngày
Bản tin Thị trường và dự báo tháng
Bản tin Thị trường giá cả vật tư
Thông tin
Tài liệu Xanh là gì
Điều khoản sử dụng
Chính sách bảo mật
0
Trang chủ
Kỹ Thuật - Công Nghệ
Cơ khí - Chế tạo máy
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 3
Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 3
Huy Anh
54
30
pdf
Không đóng trình duyệt đến khi xuất hiện nút TẢI XUỐNG
Tải xuống
Tham khảo tài liệu 'properties and applications of silicon carbide part 3', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | 52 Properties and Applications of Silicon Carbide Janson M.S. Linnarsson M.K. Hallén A. Svensson B.G. 2003b . Ion implantation range distributions in silicon carbide. Journal of Applied Physics Vol. 93 No. 11 June 2003 8903-8909 0021-8979 Kinchin G.H. Pease R.S. 1955 . The displacement of atoms in solids by radiation. Reports on Progress in Physics Vol. 18 1955 1-51 0034-4885 Kuroda N. Shibahara K. Yoo W.S. Nishino S. Matsunami H. 1987 . Step-controlled VPE growth of SiC single crystals at low temperatures Extended Abstracts of 19th Conference on Solid State Devices and Materials pp. 227-230 Tokyo 1987 Japan Society of Applied Physics Tokyo Lau F. 1990 . Modeling of polysilicon diffusion sources Technical Digest of International Electron Devices Meeting pp. 67-70 0163-1918 San Francisco Dec. 1990 IEEE Piscataway Lee S.-S. Park S.-G. 2002 . Empirical depth profile model for ion implantation in 4H-SiC. Journal of Korean Physical Society Vol. 41 No. 5 Nov. 2002 L591-L593 0374-4884 Linnarsson M. K. Janson M. S. Shoner A. Svensson B.G. 2003 . Aluminum and boron diffusion in 4H-SiC Materials Research Society Proceedings Vol. 742 paper K6.1 155899-679-6 Warrendale Dec. 2002 Materials Research Society Boston Linnarsson M.K. Janson M.S. Schnoer A. Konstantinov A. Svensson B.G. 2004 . Boron diffusion in intrinsic n-type amd p-type 4H-SiC. Materials Science Forum Vol. 457-460 2004 917-920 0255-5476 Linnarsson M.K. Janson M.S. Nordell N. Wong-Leung J. Schoner A. 2006 . Formation of precipitates in heavily boron doped 4H-SiC. Applied Surface Science Vol. 252 2006 5316-5320 0169-4332 Liu C.-I. Windl W. Borucki L. Lu S. 2002 . Ab initio modeling and experimental study of C-B interactions in Si. Applied Physics Letters Vol. 80 No. 1 Jan. 2002 52-54 0003-6951 Mochizuki K. Onose H. 2007 . Dual-Pearson approach to model ion-implanted Al concentration profiles for high-precision design of high-voltage 4H-SiC power devices Technical Digest of International Conference on Silicon Carbide
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 1
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 2
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 3
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 4
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 5
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 6
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 7
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 8
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 9
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 10
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.