Báo cáo tài liệu vi phạm
Giới thiệu
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Sức khỏe - Y tế
Văn bản luật
Nông Lâm Ngư
Kỹ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
THỊ TRƯỜNG NGÀNH HÀNG
NÔNG NGHIỆP, THỰC PHẨM
Gạo
Rau hoa quả
Nông sản khác
Sữa và sản phẩm
Thịt và sản phẩm
Dầu thực vật
Thủy sản
Thức ăn chăn nuôi, vật tư nông nghiệp
CÔNG NGHIỆP
Dệt may
Dược phẩm, Thiết bị y tế
Máy móc, thiết bị, phụ tùng
Nhựa - Hóa chất
Phân bón
Sản phẩm gỗ, Hàng thủ công mỹ nghệ
Sắt, thép
Ô tô và linh kiện
Xăng dầu
DỊCH VỤ
Logistics
Tài chính-Ngân hàng
NGHIÊN CỨU THỊ TRƯỜNG
Hoa Kỳ
Nhật Bản
Trung Quốc
Hàn Quốc
Châu Âu
ASEAN
BẢN TIN
Bản tin Thị trường hàng ngày
Bản tin Thị trường và dự báo tháng
Bản tin Thị trường giá cả vật tư
Tìm
Danh mục
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Y tế sức khỏe
Văn bản luật
Nông lâm ngư
Kĩ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
NGÀNH HÀNG
NÔNG NGHIỆP, THỰC PHẨM
Gạo
Rau hoa quả
Nông sản khác
Sữa và sản phẩm
Thịt và sản phẩm
Dầu thực vật
Thủy sản
Thức ăn chăn nuôi, vật tư nông nghiệp
CÔNG NGHIỆP
Dệt may
Dược phẩm, Thiết bị y tế
Máy móc, thiết bị, phụ tùng
Nhựa - Hóa chất
Phân bón
Sản phẩm gỗ, Hàng thủ công mỹ nghệ
Sắt, thép
Ô tô và linh kiện
Xăng dầu
DỊCH VỤ
Logistics
Tài chính-Ngân hàng
NGHIÊN CỨU THỊ TRƯỜNG
Hoa Kỳ
Nhật Bản
Trung Quốc
Hàn Quốc
Châu Âu
ASEAN
BẢN TIN
Bản tin Thị trường hàng ngày
Bản tin Thị trường và dự báo tháng
Bản tin Thị trường giá cả vật tư
Thông tin
Tài liệu Xanh là gì
Điều khoản sử dụng
Chính sách bảo mật
0
Trang chủ
Kỹ Thuật - Công Nghệ
Cơ khí - Chế tạo máy
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 4
Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 4
Việt Hà
61
30
pdf
Không đóng trình duyệt đến khi xuất hiện nút TẢI XUỐNG
Tải xuống
Tham khảo tài liệu 'properties and applications of silicon carbide part 4', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | 82 Properties and Applications of Silicon Carbide Fig. 5. Arrhenius plots of the linear rate constant B A for C- and Si-faces. been proposed 7-12 . Among them Massoud et al. 8 9 have proposed an empirical relation for the oxide thickness dependence of oxidation rate that is the addition of an exponential term to the D-G equation dX dt B X A 2X Cexn Ĩ 2 where C and L are the pre-exponential constant and the characteristic length respectively. We have found that it is possible to fit the calculated values to the observed ones using eq. 2 much better than using eq. 1 in any cases as shown by the dashed and solid lines respectively in Figs. 1-4. We discuss the temperature and oxygen partial pressure dependencies of the four parameters B A B C and L below. 3.4 Arrhenius Plots of the Fitting Parameter Figure 5 shows the Arrhenius plots of the linear rate constant B A for C- and Si-faces. The values of B A for Si-face are one order of magnitude smaller than those for C- face at any studied temperature which is in agreement with the well-known experimental result indicating that the growth rate of Si-face is about 1 10 that of C-face. In the case of Si-face the observed values of B A are on a straight line with an activation energy of 1.31 eV. While for C-face the values are on two straight lines suggesting the existence of two activation energies i.e. 0.75 and 1.76 eV and the break point in the activation energy is around 1000 C 14 . As we have measured the growth rates of SiC Si-face in the oxide thickness range less than 100 nm the diffusion limiting-step regime in which the growth rate is inversely proportional to X does not appear regardless of the temperatures used in this study. Therefore the precision in determining the values of B related to the diffusion coefficient is not sufficient and thus we do not discuss the value of B in this report. Growth rate enhancement of silicon-carbide oxidation in thin oxide regime 83 4- 4 2 100 4 __ 2 a 10 4 2 1 0.65 0.70 0.75 .
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 1
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 2
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 3
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 4
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 5
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 6
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 7
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 8
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 9
Properties and Applications of Silicon Carbide Part 10
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.