Báo cáo tài liệu vi phạm
Giới thiệu
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Sức khỏe - Y tế
Văn bản luật
Nông Lâm Ngư
Kỹ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
THỊ TRƯỜNG NGÀNH HÀNG
NÔNG NGHIỆP, THỰC PHẨM
Gạo
Rau hoa quả
Nông sản khác
Sữa và sản phẩm
Thịt và sản phẩm
Dầu thực vật
Thủy sản
Thức ăn chăn nuôi, vật tư nông nghiệp
CÔNG NGHIỆP
Dệt may
Dược phẩm, Thiết bị y tế
Máy móc, thiết bị, phụ tùng
Nhựa - Hóa chất
Phân bón
Sản phẩm gỗ, Hàng thủ công mỹ nghệ
Sắt, thép
Ô tô và linh kiện
Xăng dầu
DỊCH VỤ
Logistics
Tài chính-Ngân hàng
NGHIÊN CỨU THỊ TRƯỜNG
Hoa Kỳ
Nhật Bản
Trung Quốc
Hàn Quốc
Châu Âu
ASEAN
BẢN TIN
Bản tin Thị trường hàng ngày
Bản tin Thị trường và dự báo tháng
Bản tin Thị trường giá cả vật tư
Tìm
Danh mục
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Y tế sức khỏe
Văn bản luật
Nông lâm ngư
Kĩ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
NGÀNH HÀNG
NÔNG NGHIỆP, THỰC PHẨM
Gạo
Rau hoa quả
Nông sản khác
Sữa và sản phẩm
Thịt và sản phẩm
Dầu thực vật
Thủy sản
Thức ăn chăn nuôi, vật tư nông nghiệp
CÔNG NGHIỆP
Dệt may
Dược phẩm, Thiết bị y tế
Máy móc, thiết bị, phụ tùng
Nhựa - Hóa chất
Phân bón
Sản phẩm gỗ, Hàng thủ công mỹ nghệ
Sắt, thép
Ô tô và linh kiện
Xăng dầu
DỊCH VỤ
Logistics
Tài chính-Ngân hàng
NGHIÊN CỨU THỊ TRƯỜNG
Hoa Kỳ
Nhật Bản
Trung Quốc
Hàn Quốc
Châu Âu
ASEAN
BẢN TIN
Bản tin Thị trường hàng ngày
Bản tin Thị trường và dự báo tháng
Bản tin Thị trường giá cả vật tư
Thông tin
Tài liệu Xanh là gì
Điều khoản sử dụng
Chính sách bảo mật
0
Trang chủ
Kỹ Thuật - Công Nghệ
Cơ khí - Chế tạo máy
Advances in optical and photonic devices Part 8
Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Advances in optical and photonic devices Part 8
Yến Hồng
61
20
pdf
Không đóng trình duyệt đến khi xuất hiện nút TẢI XUỐNG
Tải xuống
Tham khảo tài liệu 'advances in optical and photonic devices part 8', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Single Mode Operation of 1.5-pm Waveguide Optical Isolators Based on the Nonreciprocal-loSs Phenomenon 129 To take the first step we made a device with a MnAs layer because the epitaxial growth technology of MnAs layers on III-V semiconductors was well established 31-33 . To reduce the propagation loss of light and obtain a single-mode operation we used the ridge waveguide structure with a large lateral-confinement factor see Fig. 5 b . In the following sections we provide details of the fabrication process and operation characteristics of the device that uses ferromagnetic MnAs. 5.2 Constructing the device Figure 10 a is a cross-sectional diagram of our TM-mode waveguide isolator with a ferromagnetic MnAs layer. The MnAs layer covers the SOA surface and two interface layers a highly doped p-type InGaAs contact layer and a p-type InP cladding layer are inserted between the two. The InGaAs contact layer has to be thin so that 1.5-pm light traveling in the SOA will extend into the MnAs layer the absorption edge of the contact layer is about 1550 nm . An Au Ti double metal layer covers the MnAs layer forming an electrode for current injection into the SOA. Light passes through the SOA waveguide in a direction perpendicular to the figure z direction . An Al2O3 insulating layer separates the SO A surface from the Au-Ti electrode except on the contact region. Incident light passes through the SOA waveguide perpendicular to the figure z direction . Fig. 10. a Schematic cross section of our waveguide isolator for 1.5-pm TM mode consisting of a ridge-shaped optical amplifying waveguide covered with a MnAs layer magnetized in x-direction. Light propagates along z-direction. b SEM cross section of device. On the basis of the simulation results mentioned in Section 4.3 we fabricated a device as follows. The substrate was a highly doped 100 -oriented n-type wafer of InP. The SOA was formed on the substrate by metalorganic vapor-phase epitaxy MOVPE . The MQW showed a .
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
Advances in optical and photonic devices Part 1
Advances in optical and photonic devices Part 2
Advances in optical and photonic devices Part 3
Advances in optical and photonic devices Part 4
Advances in optical and photonic devices Part 5
Advances in optical and photonic devices Part 6
Advances in optical and photonic devices Part 7
Advances in optical and photonic devices Part 8
Advances in optical and photonic devices Part 9
Advances in optical and photonic devices Part 10
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.