Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Giáo trình linh kiện_Phần 11

Trọng Kiên 66 7 pdf

Không đóng trình duyệt đến khi xuất hiện nút TẢI XUỐNG Tải xuống

Tham khảo tài liệu 'giáo trình linh kiện_phần 11', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Simpo PDF Merge and Split Unregistered Versi on - http www.simpopdf.com7h Linh Kiện Điện Tử - Ta thấy cũng có 3 vùng hoạt động của transistor vùng bảo hoà vùng tác động và vùng ngưng. - Khi nối tắt VBE tức Ib 0 dòng điện cực thu xấp xĩ dòng điện rĩ Iceo. Đặc tuyến truyền Transfer characteristic curve Từ đặc tuyến ngõ vào và đặc tuyến ngõ ra. Ta có thể suy ra đặc tuyến truyền của transistor. Đặc tuyến truyền biểu diễn sự thay đổi của dòng điện ngõ ra Ic theo điện thế ngõ vào VBE với điện thế ngõ ra VCE làm thông số. Đặc tuyến có dạng như sau Trang 71 Biên soạn Trương Văn Tám Simpo PDF Merge and Split Unregistered Versi on - http www.simpopdf.com7h Linh Kiện Điện Tử Vùng ngưng Ẹ Vùng Ẹ Vùng bảo hoà .tác động cut-in VBE sat Hình 16 Đối với transistor Si vùng hoạt động có VBE nằm trong khoảng 0 5-0 8V. Trong vùng này đặc tuyến truyền có dạng hàm mũ. Ở vùng bão hoà dòng IC tăng nhanh khi VBE thay đổi. Ở vùng ngưng khi VBE còn nhỏ dòng rỉ qua transistor Ices rất nhỏ thường xấp xĩ Icbo. Ngay cả trong vùng hoạt động khi VBE thay đổi một lượng nhỏ từ dòng Ib thạy đổi thì dòng Ic thay đổi một lượng khá lớn. Vì thế trong các ứng dụng người ta dùng điện thế cực nền VBE làm điện thế điều khiển và cực B còn gọi là cực khiển. 3. Ảnh hưởng của nhiệt độ lên các đặc tuyến của BJT. Như ta đã thấy các tính chất điện của chất bán dẫn đều thay đổi theo nhiệt độ. Do đó các đặc tuyến của BJT đều thay đổi khi nhiệt độ thay đổi. - Khi nhiệt độ tăng các dòng điện rỉ của cực thu ICBO Iceo Ices đều tăng. - Khi nhiệt độ tăng các độ lợi điện thế aDC pDC cũng tăng. - Khi nhiệt độ tăng điện thế phân cực thuận điện thế ngưỡng nối nền phát VBE giảm. Thông thường VBE giảm 2 2mV khi nhiệt độ tăng 10C. - Dòng điện rỉ Icbo tăng gấp đôi khi nhiệt độ tăng 80C trong transistor Si. IcBO t0C Icbo 250C . 2 Tác động của nhiệt độ ảnh hưởng quan trọng đến điểm điều hành của transistor. Nó là nguyên nhân làm cho thông số của transistor thay đổi và kết quả là tín hiệu có thể bị biến dạng. Trang 72 Biên soạn Trương

TÀI LIỆU LIÊN QUAN