Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Transistor trong mach IC - TS Lê Tuấn

Không đóng trình duyệt đến khi xuất hiện nút TẢI XUỐNG Tải xuống

Bài giảng Transistor trong mach IC cung cấp các kiến thức về Transistor lưỡng cực: kiến thức cơ sở về transistor lưỡng cực, transistor lưỡng cực ở chế độ tích cực thuận, profile phân bố tạp chất trong transistor lưỡng cực, sự co hẹp bề rộng vùng cấm, hệ số khuếch đại dòng, các đặc trưng một chiều, điện áp đánh thủng, so sánh với các linh kiện RF khác, Mosfet kênh dài, tóm tắt về dòng điện Mosfet, Mosfet trong các chế độ hoạt động khác nhau. | TRANSISTOR TRONG MẠCH IC Trường Đại học Bách khoa Hà Nội Biên soạn: TS. Lê Tuấn Đại học Bách khoa Hà Nội TRANSISTOR LƯỠNG CỰC Kiến thức cơ sở về transistor lưỡng cực Cấu trúc: giống như hai diode p-n nối xoay đầu vào nhau Chế độ điện áp VBE VBC Vùng bão hòa (Saturation) Vùng cắt Cut-off Vùng tích cực thuận (Forward active) Vùng tích cực ngược (Reverse active) transistor n-p-n n n p E B C transistor p-n-p p p n E B C Đại học Bách khoa Hà Nội Transistor lưỡng cực ở chế độ tích cực thuận Giản đồ năng lượng Các thành phần dòng điện Đại học Bách khoa Hà Nội Ví dụ với transistor lưỡng cực p-n-p trong chế độ điện áp thuận Đại học Bách khoa Hà Nội Profile phân bố tạp chất trong transistor lưỡng cực - Emitter cấy ion - Transistor nhiều emitter Cấu trúc thực tế của transistor lưỡng cực đơn (a) và planar trong mạch IC (b). Profile phân bố tạp chất trong transistor Đại học Bách khoa Hà Nội Sự co hẹp bề rộng vùng cấm Đối với bán dẫn pha tạp mạnh, năng lượng hiệu dụng ion | TRANSISTOR TRONG MẠCH IC Trường Đại học Bách khoa Hà Nội Biên soạn: TS. Lê Tuấn Đại học Bách khoa Hà Nội TRANSISTOR LƯỠNG CỰC Kiến thức cơ sở về transistor lưỡng cực Cấu trúc: giống như hai diode p-n nối xoay đầu vào nhau Chế độ điện áp VBE VBC Vùng bão hòa (Saturation) Vùng cắt Cut-off Vùng tích cực thuận (Forward active) Vùng tích cực ngược (Reverse active) transistor n-p-n n n p E B C transistor p-n-p p p n E B C Đại học Bách khoa Hà Nội Transistor lưỡng cực ở chế độ tích cực thuận Giản đồ năng lượng Các thành phần dòng điện Đại học Bách khoa Hà Nội Ví dụ với transistor lưỡng cực p-n-p trong chế độ điện áp thuận Đại học Bách khoa Hà Nội Profile phân bố tạp chất trong transistor lưỡng cực - Emitter cấy ion - Transistor nhiều emitter Cấu trúc thực tế của transistor lưỡng cực đơn (a) và planar trong mạch IC (b). Profile phân bố tạp chất trong transistor Đại học Bách khoa Hà Nội Sự co hẹp bề rộng vùng cấm Đối với bán dẫn pha tạp mạnh, năng lượng hiệu dụng ion hóa tạp chất giảm giá trị Đối với bán dẫn loại n Đối với bán dẫn loại p Nồng độ hiệu dụng hạt tải thuần Đại học Bách khoa Hà Nội Dòng collector IC Đại học Bách khoa Hà Nội Dòng collector IC (tiếp) Mật độ dòng collector bão hòa Số cơ sở Gummel Tất cả các thông tin của vùng cực gốc đều phải có mặt trong GB. Do đó, dòng collector là hàm số chỉ của các thông số vùng cực gốc. theo de Graaff theo Gummel Một cách định nghĩa khác của số cơ sở Gummel Đại học Bách khoa Hà Nội Dòng base Giả thiết: Toàn bộ dòng base là do các lỗ trống được tiêm vào vùng cực gốc – base (bỏ qua sự tái hợp tại vùng nghèo của chuyển tiếp emitter – base và tại vùng trung hòa của cực gốc) trường hợp emitter pha tạp đồng đều Mật độ dòng base bão hòa: Số Gummel cho emitter: Đại học Bách khoa Hà Nội Hệ số khuếch đại dòng Hệ số khuếch đại dòng emitter tổng cộng: (giả thiết cả base và emitter được pha tạp đồng đều và các dòng tiêm không đáng kể) Hệ số khuếch đại dòng base tổng cộng: Đại học Bách khoa