Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Bài giảng môn học Điện tử công suất và ứng dụng: Chương 2 - ĐH Bách khoa TP. Hồ Chí Minh

Bài giảng "Điện tử công suất và ứng dụng - Chương 2: Linh kiện điện tử công suất" cung cấp cho người học các kiến thức: Diot công suất, linh kiện học transistor, linh kiện họ thyristor. nội dung chi tiết. | Slides ÑTCS&ÖD Ñöôïc pheùp mang vaøo phoøng thi LINH KIEÄN ÑIEÄN TÖÛ COÂNG SUAÁT Chöông 2: 2.1 Diod coâng suaát 2.2 Linh kieän hoï transistor 2.3 Linh kieän hoï thyristor 2 / 19 ch2 LK DTCS ppt.doc /ÑTCS&ÖD 2.1 DIOD COÂNG SUAÁT: Ñöôïc pheùp mang vaøo phoøng thi Laø diod chòu doøng lôùn, duøng trong ÑTCS 1. Phaân loaïi: - coù hai loaïi: - taàn soá coâng nghieäp (diod chænh löu) - diod taàn soá cao coù diod Schotky chòu aùp thaáp, suït aùp thuaän 0.2 – 0.4V. Ngaét ñieän ñieän töû: linh kieän hay nhoùm linh kieän ñieän töû laøm vieäc trong hai cheá ñoä: 2. Ñaëïc tính phuïc hoài cuûa diod (recovery): Töø daãn -> khoùa coù khoaõng daãn doøng ngöôïc - Daãn ñieän hay baûo hoaø (ON): suït aùp raát beù, doøng phuï thuoäc vaøo taûi. - Khoùa (OFF): doøng qua noù raát beù (≈ 0), xem nhö hôû maïch. Linh kieän chính: diode, thyristor (SCR), transistor (BJT, MosFET, IGBT). TAÙC DUÏNG: haïn cheá taàn soá laøm vieäc, quaù aùp ñoùng ngaét 3 / 19 ch2 LK DTCS ppt.doc /ÑTCS&ÖD Ñöôïc pheùp mang vaøo phoøng thi 2.2 LINH KIEÄN HOÏ TRANSISTOR: Laø nhoùm linh kieän ñoùng ngaét theo ñieàu khieån: BJT, MosFET, IGBT G D D 4 / 19 ch2 LK DTCS ppt.doc /ÑTCS&ÖD 2.2.1 Ñaëc tính ñoùng ngaét BJT - Thí nghieäm ñoùng ngaét taûi R vaø RL: C C VCC L VCC G S S G MosFET keânh n (Kyù hieäu quen duøng) Kyù hieäu IGBT i G E E Maïch nguyeân lyù IGBT - MosFET: laø transistor tröôøng loaïi taêng (enhancement). i VBB - IB = 0 => BJT khoùa, khoâng daãn ñieän MosFET, IGBT: ñieàu khieån baèng aùp VGS VGE - VGS ≤ 0 : transistor khoùa - IB ñuû lôùn (IB > IC / β) BJT baûo hoøa: doøng - VGS > VTH : transistor daãn ñieän taûi IC chæ phuï thuoäc taûi. (V töø 3 5 volt) TH transistor Darlington coù β töø vaøi traêm Thöïc teá ñieàu khieån: ñeán vaøi nghìn. 0/10 – 15V hay ±(10 – 15)V C Rt - töø khoùa R1 v CE C Rt VBB Q R2 - IGBT (Insulated Gate BJT) = MosFET ôû ngoû vaøo + BJT ôû ngoû ra. BJT: ñieàu khieån baèng doøng cöïc B Ñöôïc pheùp mang vaøo phoøng .