Báo cáo tài liệu vi phạm
Giới thiệu
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Sức khỏe - Y tế
Văn bản luật
Nông Lâm Ngư
Kỹ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
THỊ TRƯỜNG NGÀNH HÀNG
NÔNG NGHIỆP, THỰC PHẨM
Gạo
Rau hoa quả
Nông sản khác
Sữa và sản phẩm
Thịt và sản phẩm
Dầu thực vật
Thủy sản
Thức ăn chăn nuôi, vật tư nông nghiệp
CÔNG NGHIỆP
Dệt may
Dược phẩm, Thiết bị y tế
Máy móc, thiết bị, phụ tùng
Nhựa - Hóa chất
Phân bón
Sản phẩm gỗ, Hàng thủ công mỹ nghệ
Sắt, thép
Ô tô và linh kiện
Xăng dầu
DỊCH VỤ
Logistics
Tài chính-Ngân hàng
NGHIÊN CỨU THỊ TRƯỜNG
Hoa Kỳ
Nhật Bản
Trung Quốc
Hàn Quốc
Châu Âu
ASEAN
BẢN TIN
Bản tin Thị trường hàng ngày
Bản tin Thị trường và dự báo tháng
Bản tin Thị trường giá cả vật tư
Tìm
Danh mục
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Y tế sức khỏe
Văn bản luật
Nông lâm ngư
Kĩ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
NGÀNH HÀNG
NÔNG NGHIỆP, THỰC PHẨM
Gạo
Rau hoa quả
Nông sản khác
Sữa và sản phẩm
Thịt và sản phẩm
Dầu thực vật
Thủy sản
Thức ăn chăn nuôi, vật tư nông nghiệp
CÔNG NGHIỆP
Dệt may
Dược phẩm, Thiết bị y tế
Máy móc, thiết bị, phụ tùng
Nhựa - Hóa chất
Phân bón
Sản phẩm gỗ, Hàng thủ công mỹ nghệ
Sắt, thép
Ô tô và linh kiện
Xăng dầu
DỊCH VỤ
Logistics
Tài chính-Ngân hàng
NGHIÊN CỨU THỊ TRƯỜNG
Hoa Kỳ
Nhật Bản
Trung Quốc
Hàn Quốc
Châu Âu
ASEAN
BẢN TIN
Bản tin Thị trường hàng ngày
Bản tin Thị trường và dự báo tháng
Bản tin Thị trường giá cả vật tư
Thông tin
Tài liệu Xanh là gì
Điều khoản sử dụng
Chính sách bảo mật
0
Trang chủ
Khoa Học Tự Nhiên
Vật lý
Metal-insulator phase diagram for the fully diagonal disordered hubbard-model at half filling
Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Metal-insulator phase diagram for the fully diagonal disordered hubbard-model at half filling
Xuân An
65
6
pdf
Không đóng trình duyệt đến khi xuất hiện nút TẢI XUỐNG
Tải xuống
The electronic properties of strongly correlated systems with binary type of disorder are investigated using the coherent potential approximation. For half-filled system, two transitions from a band insulator via a metallic state to a Mott insulator are found with increasing the correlation strength of only one of the constituents. Our phase diagram is consistent with those obtained by the dynamical mean field theory. | Communications in Physics, Vol. 26, No. 2 (2016), pp. 159-164 DOI:10.15625/0868-3166/26/2/8487 METAL-INSULATOR PHASE DIAGRAM FOR THE FULLY DIAGONAL DISORDERED HUBBARD MODEL AT HALF-FILLING HOANG ANH TUAN† AND NGUYEN THI HAI YEN Institute of Physics, VAST, Vietnam † E-mail: hatuan@iop.vast.vn Received 12 July 2016 Accepted for publication 28 August 2016 Abstract. The electronic properties of strongly correlated systems with binary type of disorder are investigated using the coherent potential approximation. For half-filled system, two transitions from a band insulator via a metallic state to a Mott insulator are found with increasing the correlation strength of only one of the constituents. Our phase diagram is consistent with those obtained by the dynamical mean field theory. Keywords: metal-insulator transition; phase diagram; disordered Hubbard model. Classification numbers: 71.27.+a. I. INTRODUCTION In many materials, both the disorder and the correlation effects are present at the same time. The strong correlation effect between electrons has provided us a lot of interesting phenomena, such as high transition temperature superconductivity, metal-insulator transition (MIT), spincharge-orbital orderings and so on. On the other hand, real materials are always subject to different kinds of disorder, such as vacancies, impurities and non-stoichiometric composition. Therefore, the disorder and the electron correlation effects should be considered together to understand the electronic properties of the system. A generic model to study the common influence of disorder and correlations is the Hubbard model including diagonal disorder. For this model, the MIT at noninteger filling have been found by Byczuk et al. [1, 2]. They have shown that at a particular density, equal to the disorder concentration x (or 1 + x), the interplay between disorder-induced band splitting and correlation-induced Mott transition gives rise to a new type of MIT. Recently, a very .
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.