Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Resistance switching behavior of ZN0 thin films for random access memory applications

Không đóng trình duyệt đến khi xuất hiện nút TẢI XUỐNG

We investigated resistance switching behavior of the Ag/ZnO/Ti structures for random access memory devices. These films were prepared on glass substrate by dc sputtering technique at room temperature. The resistance switching follows unipolar switching mode with small switching voltages (0.4 V – 0.6 V). Our results figured out that the Ag/ZnO/Ti/Glass structure is a candidate structure for nonvolatile data storage applications. | Resistance switching behavior of ZN0 thin films for random access memory applications

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

Resistance switching behavior of ZN0 thin films for random access memory applications

HIGH SPEED DIGITAL CMOS INPUT BUFFER DESIGN

Báo cáo hóa học: " Bipolar resistance switching characteristics with opposite polarity of Au/SrTiO3/Ti memory cells"
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.