Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Bài giảng mạch điện tử : CÁC DẠNG LIÊN KẾT CỦA BJT VÀ FET part 2

thay đổi theo nhiệt độ và dòng IC2, nhưng ảnh hưởng này sẽ được giảm thiểu nếu ta chọn Về thông số của mạch khuếch đại cách tính cũng như mạch trước. Liên lạc trực tiếp dùng FET: Ở MOSFET loại tăng (E-MOSFET), do cực cổng cách điện hẳn với cực nguồn và cực thoát nên rất thuận tiện trong việc ghép trực tiếp. | E V v EE2 thay đổi theo nhiệt độ và dòng IC2 nhưng ảnh hưởng này sẽ được giảm thiểu Ey vcc nếu ta chọn về thông số của mạch khuếch đại cách tính cũng như mạch trước. Liên lạc trực tiếp dùng FET Ở MOSFET loại tăng E-MOSFET do cực cổng cách điện hẳn với cực nguồn và cực thoát nên rất thuận tiện trong việc ghép trực tiếp. Cách tính phân cực giống như một tầng riêng lẻ. VGS1 VDS1 VgS2 Avt gmRD 2 Tầng khuếch đại cực nguồn chung và thoát chung cũng thuận tiện trong cách ghép trực tiếp. Điện thế VGS của Q2 tùy thuộc vào RD RS1 và RS2. Trong 2 cách ghép trên FET chỉ hoạt động tốt khi 2 FET hoàn toàn giống hệt nhau. Thực tế khi 2 FET không đồng nhất sự trôi dạt điểm điều hành của tầng trước được tầng sau khuếch đại khiến cho tầng cuối cùng hoạt động trong vùng không thuận lợi. Để khắc phục người ta cũng dùng kỹ thuật hồi tiếp để ổn định phân cực như hình 6.10. Giả sử điện thế cực thoát của Q1 lớn hơn bình thường lượng sai biệt này sẽ được khuếch đại bởi Q2 và Q3 và do đó điện thế tại cực cổng của Q1 lớn hơn. Điều này làm cho Q1 dẫn điện mạnh hơn kéo điện thế ở cực thoát giảm xuống. Tuy nhiên RG cũng tạo ra một vấn đề mới. Nếu gọi AvT là độ lợi của toàn mạch thì V0 - Avt .vì Nên điện thế ngang qua RG là Vi - Vo Vi Avt vì Vi 1 Avt _ vi - vũ _ 1 T Va ỉ p p tổng trở vào của mạch Đe khắc phục người ta chia Rg ra làm 2 nữa và dùng một tụ nối tắt tín hiệu xuống mass. vi z. 1 4 1 Avt giảm nhỏ. Hình 6.11 Phân giải mạch ta tìm được Avt ẠgmRD 3 4 5 2 Zo Rd 2 rd 6.2 LIÊN KẾT CHỒNG cascode connection Trong sự liên kết này một transistor ghép chồng lên một transistor khác. Hình 6.12 mô tả mạch liên kết chồng với một tầng cực phát chung ghép chồng lên một tầng cực nền chung. Sự liên kết này phải được thiết kế sao cho tầng cực phát chung có tổng trở ra tổng trở vào của tầng cực nền chung khá lớn và độ lợi điện thế thấp cung cấp cho tầng cực nền chung để bảo đảm điện dung Miller ở ngỏ vào thấp nhất nên loại liên kết này hoạt động tốt ở tần số cao. Trong mạch trên với cách phân tích phân cực