Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Giáo trình phân tích quy trình ứng dụng các loại diode phân cực trong bán kì âm tín hiệu p7

Tham khảo tài liệu 'giáo trình phân tích quy trình ứng dụng các loại diode phân cực trong bán kì âm tín hiệu p7', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Khi RC 3 KQ RC tăng Hình 22 Ic Ie 3mA Vcb Vcc - Rc.Ic 12 - 3x3 3V V 12 T 12 4mA SH Rc 3 Như vậy khi giữ các nguồn phân cực vcc Vee và RE cố định thay đổi Rc điểm điều hành Q sẽ chạy trên đặc tuyến tương ứng với IE 3mA. Khi Rc tăng thì VCB giảm và ngược lại. 2. Ảnh hưởng của nguồn phân cực nối thu nền vcc. Nếu giữ IE là hằng số tức Vee và RE là hằng số Rc là hằng số thay đổi nguồn vcc ta thấy Khi vcc tăng thì VCB tăng khi vcc giảm thì VCB giảm. Trang 76 Biên soạn Trương Văn Tám Thí dụ Hình 24 3. Ảnh hưởng của IE lên điểm điều hành Nếu ta giữ RC và VCC cố định thay đổi IE tức thay đổi RE hoặc VEE ta thấy khi IE tăng thì VCB giảm tức IC tăng khi IC giảm thì VCB tăng tức IC giảm . ICBO Ic mA 7 . J I VCC ÃC sat ÃSH n RC 5 - 4 3 2 1 0 Q3 IE 6 mA IE 5 mA IE 4 mA IE 3 mA IE 2 mA IE 1 mA Ị Vcb 10 12_14 Q2 Q1 Q4 Hình 25 Tăng Giảm 6 Khi IE tăng thì IC tăng theo và tiến dần đến trị ISH. Transistor dần dần đi vào vùng bảo hoà. Dòng tối đa của IC tức dòng bảo hoà gọi là IC sat . Như vậy Ic sat ISH - CC- C SH RC Lúc này VCB giảm rất nhỏ và xấp xĩ bằng 0V thật sự là 0 2V . Khi IE giảm thì IC giảm theo. Transistor đi dần vào vùng ngưng VCB lúc đó gọi là VCB off và Ic Icbo. Trang 77 Biên soạn Trương Văn Tám Như vậy VcB off Voc Vcc. Vùng bảo hoà và vùng ngưng là vùng hoạt động không tuyến tính của BJT. Đối với mạch cực phát chung ta cũng có thể khảo sát tương tự. VIII. KIỂU MẪU MỘT CHIỀU CỦA BJT. Qua khảo sát ở phần trước người ta có thể dùng kiểu mẫu gần đúng sau đây của transistor trong mạch điện một chiều E C C B Transistor NPN E E IE Ic ưdcIe Ie B E Ie aDCIE Ic ưdcIe Ie C C B Transistor PNP B .Hình 26 . Tuy nhiên khi tính các thành phần dòng điện và điện thế một chiều của transistor người ta thường tính trực tiếp trên mạch điện với chú ý là điện thế thềm VBE khi phân cực thuận là 0 3V đối với Ge và 0 7V đối với Si. Thí dụ 1 tính IE IC và VCB của mạch cực nền chung như sau Trang 78 Biên soạn Trương Văn .