Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Giáo trình phân tích quy trình ứng dụng các loại diode phân cực trong bán kì âm tín hiệu p10

Tham khảo tài liệu 'giáo trình phân tích quy trình ứng dụng các loại diode phân cực trong bán kì âm tín hiệu p10', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | CHƯƠNG6 TRANSISTOR TRƯỜNG ƯNG FIELD EFFECT TRANSISTOR Chúng ta đã khảo sát qua transistor thường được gọi là transistor lưỡng cực vì sự dẫn điện của nó dựa vào hai loại hạt tải điện hạt tải điện đa số trong vùng phát và hạt tải điện thiểu số trong vùng nền. Ở transistor NPN hạt tải điện đa số là điện tử và hạt tải điện thiểu số là lỗ trống trong khi ở transistor PNP hạt tải điện đa số là lỗ trống và hạt tải điện thiểu số là điện tử. Điện trở ngõ vào của BJT nhìn từ cực E hoặc cực B nhỏ từ vài trăm Q đến vài KQ trong lúc điện trở ngõ vào của đèn chân không rất lớn gần như vô hạn. Lý do là ở BJT nối nền phát luôn luôn được phân cực thuận trong lúc ở đèn chân không lưới khiển luôn luôn được phân cực nghịch so với Catod. Do đó ngay từ lúc transistor BJT mới ra đời người ta đã nghĩ đến việc phát triển một loại transistor mới. Điều này dẫn đến sự ra đời của transistor trường ứng. Ta phân biệt hai loại transistor trường ứng - Transistor trường ứng loại nối Junction FET- JFET - Transistor trường ứng loại có cổng cách điện Isulated gate FET-IGFET hay metal-oxyt semiconductor FET-MOSFET. Ngoài ra ta cũng khảo sát qua loại VMOS MOSFET công suất-Vertical chanel MOSfEt CMOS và DMOS. I. CẤU TẠO CĂN BẢN CỦA JFET Mô hình sau đây mô tả hai loại JFET kênh N và kênh P. Trong JFET kênh N gồm có hai vùng n là hai vùng nguồn và thoát. Một vùng n-pha ít tạp chất dùng làm thông lộ kênh nối liền vùng nguồn và vùng thoát. Một vùng p-nằm phía dưới thông lộ là thân và một vùng p nằm phía trên thông lộ. Hai vùng p và p-nối chung với nhau tạo thành cực cổng của JFET. Trang 91 Biên soạn Trương Văn Tám Ký hiệu G D S D S S Source cực nguồn D Drain cực thoát G Gate cưc cổng Nếu so sánh với BJT ta thấy cực thoát D tương đương với cực thu C cực nguồn S tương đương với cực phát E và cực cổng G tương đương với cực nền B. Trang 92 Biên soạn Trương Văn Tám - JFET kênh N tương đương với transistor NPN. - JFET kênh P tương đương với transistor PNP. JFET Kênh N Thoát Thu BJT NPN Hình 3 Nguồn Phát E BJT PNP