Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Giáo trình phân tích khả năng ứng dụng cấu tạo Mosfet với tín hiệu xoay chiều p2

Tham khảo tài liệu 'giáo trình phân tích khả năng ứng dụng cấu tạo mosfet với tín hiệu xoay chiều p2', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | - Vdd Khi VGS 0V cực cổng nối thẳng với cực nguồn điện tử di chuyển giữa cực âm của nguồn điện VDD qua kênh n- đến vùng thoát cực dương của nguồn điện VDD tạo ra dòng điện thoát ID. Khi điện thế VDS càng lớn thì điện tích âm ở cổng G càng nhiều do cổng G cùng điên thế với nguồn S càng đẩy các điện tử trong kênh n- ra xa làm cho vùng hiếm rộng thêm. Khi vùng hiếm vừa chắn ngang kênh thì kênh bị nghẽn và dòng điện thoát ID đạt đến trị số bảo hoà IDSS. Khi VGS càng âm sự nghẽn xảy ra càng sớm và dòng điện bảo hoà ID càng nhỏ. Khi VGS dương điều hành theo kiểu tăng điện tích dương của cực cổng hút các điện tử về mặt tiếp xúc càng nhiều vùng hiếm hẹp lại tức thông lộ rộng ra điện trở thông lộ giảm nhỏ. Điều này làm cho dòng thoát ID lớn hơn trong trường hợp VGS 0V. Vì cực cổng cách điện hẳn khỏi cực nguồn nên tổng trở vào của DE-MOSFET lớn hơn JFET nhiều. Cũng vì thế khi điều hành theo kiểu tăng nguồn VGS có thể lớn hơn 0 2V. Thế nhưng ta phải có giới hạn của dòng ID gọi là IDMAX. Đặc tuyến truyền và đặc tuyến ngõ ra như sau Trang 106 Biên soạn Trương Văn Tám DE-MOSFET kênh N Id mA Id mA Đặc tuyến truyền Điều kiểu Điều hành kiểu tăng IDmax 0 Vgs 2V Vgs oíí 0 .Ídss. Hình 27 Đặc tuyến ngõ ra Vgs 2V Vgs 1V Vgs 0V Vgs -1v Vgs -2V Vgs -3V Vds volt DE-MOSFET kênh P Id mA Id mA Đặc tuyến truyền Điều hành kiểu hiếm Điều hành kiểu tăng IDmax VGS oíí 0 0 Vgs -2V Ipss. Hình 28 Đặc tuyến ngõ ra -Vgs -2V -Vgs -1v -Vgs 0V -Vgs 1V -Vgs 2V -Vgs 3V Vds volt Như vậy khi hoạt động DE-MOSFET giống hệt JFET chỉ có tổng trở vào lớn hơn và dòng rỉ IGss nhỏ hơn nhiều so với JFET. VI. MOSFET LOẠI TĂNG ENHANCEMENT MOSFET E-MOSFET MOSFET loại tăng cũng có hai loại E-MOSFET kênh N và E-MOSFET kênh P. về mặt cấu tạo cũng giống như DE-MOSFET chỉ khác là bìng thường không có thông lộ nối liền giữa hai vùng thoát D và vùng nguồn S. Mô hình cấu tạo và ký hiệu được diễn tả bằng hình vẽ sau đây Trang 107 Biên soạn Trương Văn Tám Hình 29 D Thân U S D S Thân nối với nguồn Hình 30 D S D S Thân U Thân nối .