Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Giáo trình phân tích khả năng ứng dụng cấu tạo Mosfet với tín hiệu xoay chiều p5

Tham khảo tài liệu 'giáo trình phân tích khả năng ứng dụng cấu tạo mosfet với tín hiệu xoay chiều p5', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Cấu trúc CMOS được dùng rất nhiều trong IC tuyến tính và IC số Bây giờ ta xét mạch căn bản như trên ta thử xem đáp ứng của CMOS khi tín hiệu vào có dạng xung vuông như hình vẽ. Mạch này được ứng dụng làm cổng đảo và là tẩng cuối của OP-AMP IC thuật toán . - Khi vị 5V 0 t t1 E-MOSFET kênh P ngưng vì vGS t 0V trong lúc đó E-MOSFET kênh N dẫn mạnh vì vGS t 5V nên điện thế ngõ ra vo t 0V. - Khi vi t 0V t ti E-MOSFET kênh P dẫn điện mạnh vì vGS t -5V trong lúc E-MOSFET kênh N không dẫn điện vì vGS t 0V nên điện thế ngõ ra vo t VDD 5V. Vdd 15V Ỵi t 5V 0 t i t vi t Gi Q2 G2 Qi Si Di vo t 5V I I D2 S2 v0 t ti 0 t Hình 48 Trang 121 Biên soạn Trương Văn Tám Như vậy tác dụng của CMOS là một mạch đảo inverter Ta xem một mạch khuếch đại đơn giản dùng CMOS tuyến tính Vi t Vdd 15V Hình 49 V _ 7 5V GG 2 - Khi vi t dương E-MOSFET kênh N dẫn điện mạnh hơn và E-MOSFET kênh P bắt đầu dẫn điện yếu hơn. Do đó vo t giảm. - Khi v t dương E-MOSFET kênh P dẫn điện mạnh hơn và E-MOSFET kênh N bắt đầu dẫn điện yếu hơn nên vo t tăng. Như vây ta thấy tín hiệu ngõ vào và ngõ ra ngược pha nhau lệnh pha 180o XIII. MOSFET CÔNG SUẤT V-MOS VÀ D-MOS. Các transistor trường ứng JFET và MOSFET mà ta đã khảo sát ở trên chỉ thích hợp cho các mạch có biên độ tín hiệu nhỏ như tiền khuếch đại trộn sóng khuếch đại cao tần trung tần dao động. năm 1976 người ta phát minh ra loại transistor trường có công suất vừa đến lớn với khả năng dòng thoát đến vài chục ampere và công suất có thể lên đến vài chục Watt. 1. V-MOS Thật ra đây là một loại E-MOSFET cải tiến cũng là không có sẵn thông lộ và điều hành theo kiểu tăng. sự khác nhau về cấu trúc E-MOSFET và V-MOS được trình bày bằng hình vẽ sau Trang 122 Biên soạn Trương Văn Tám Khi VGS dương và lớn hơn VGS th thông lộ được hình thành dọc theo rãnh V và dòng electron sẽ chạy thẳng từ hai nguồn S đến cực thoát D. Vì lý do này nên được gọi là V-MoS Vertical mOsFeT . 2. D-MOS Cũng là một loại E-MOSFET hoạt động theo kiểu tăng ứng dụng hiện tượng khuếch tán đôi .