Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Microelectronic Circuit Design Third Edition - Part III Solutions to Exercises

Không đóng trình duyệt đến khi xuất hiện nút TẢI XUỐNG

CHAPTER 10 Page 509 Vo = 2Po RL = 2(20W )(16Ω) = 25.3 V Io = AP = Av = Vo 25.3V = = 5.06x103 Vi 0.005V Vo 25.3V Vi 0.005V I 1.58 A = = 1.58 A I i = = = 0.167µA Ai = o = = 9.48x106 RL 16Ω RS + Rin 10kΩ + 20kΩ I i 0.167µA 25.3V (1.58 A) Po = = 4.79x1010 PS 0.005V (0.167µA) Checking : Ap = 5.06x103 9.48x106 = 4.80x1010 Page 510 (i ) AvdB = 20 log(5060) = 74.1 dB AidB = 20 log 9.48x106 = 140 dB APdB = 10 log.

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 10: MOSFET (III)

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 10: MOSFET (III)

Microelectronic Circuit Design Third Edition - Part III Solutions to Exercises

Ebook Microelectronic Circuit Design - Richard Jaeger

Ebook Microelectronic circuit design (4th edition): Part 1

Ebook Microelectronic circuit design (4th edition): Part 2

Lecture Electrical Engineering: Lecture 30 - Dr. Nasim Zafar

Lecture Electrical Engineering: Lecture 30 - Dr. Nasim Zafar

MICROELECTRONIC CIRCUIT DESIGN

Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.