Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Chế tạo chấm lượng tử CdSe bằng phương pháp hóa sạch

Không đóng trình duyệt đến khi xuất hiện nút TẢI XUỐNG

Bài báo trình bày kết quả nghiên cứu chế tạo các chấm lượng tử CdSe có kích thước 2,8-5,0nm, sử dụng nguyên liệu CdO và hệ thống phản ứng kín. Vật liệu chế tạo được có hình dạng tựa cầu với độ phân tán kích thước khoảng 10%. Chất liệu vật liệu tốt được khẳng định bằng phương pháp đo huỳnh quang và hiệu suất lượng tử huỳnh quang.

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

Nghiên cứu chế tạo tinh thể quang tử kiểu opal chứa chấm lượng tử định hướng chế tạo cảm biến

Luận án tiến sĩ khoa học vật liệu: Nghiên cứu chế tạo tính chất quang của các chấm lượng tử CdSe với cấu trúc lõi/vỏ và định hướng ứng dụng

Luận văn Thạc sĩ Khoa học: Chế tạo và nghiên cứu tính chất quang của chấm lượng tử CdS/ZnSe

Chế tạo chấm lượng tử ZnS bọc 3 - Mercaptopropan 1,2 - diol ứng dụng làm Sensor huỳnh quang cho ion Cu2+

Chấm lượng tử ZnSe chế tạo bằng phương pháp thủy nhiệt

Nghiên cứu chế tạo tinh thể Photonic có cấu trúc kiểu opal và tinh thể Photonic chứa chấm lượng tử bán dẫn

Ảnh hưởng của phương pháp chế tạo lên hiệu suất của pin mặt trời chấm lượng tử

Nghiên cứu chế tạo chấm lượng tử graphene ứng dụng làm lớp truyền lỗ trống trong pin mặt trời hữu cơ

Tổng hợp nano tinh thể CdSe/ZnS, tổ hợp chúng với polime và khảo sát tính chất quang

Luận văn Thạc sĩ Khoa học vật chất: Chế tạo, nghiên cứu các tính chất quang của các chấm lượng tử CdZnSe (S)
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.