Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Chế tạo màng mỏng dẫn điện trong suốt oxide kẽm có độ linh động điện tử cao bằng phương pháp phún xạ magnetron DC trong hỗn hợp khí argon và hydrogen

Màng mỏng dẫn điện trong suốt ZnO có độ linh động điện tử cao được phủ trên đế thủy tinh bằng phương pháp phún xạ magnetron DC trong hỗn hợp khí argon và hydrogen (Ar + H2) ở nhiệt độ phòng. | Science & Technology Development, Vol 18, No.T4-2015 Chế tạo màng mỏng dẫn điện trong suốt oxide kẽm có độ linh động điện tử cao bằng phương pháp phún xạ magnetron DC trong hỗn hợp khí argon và hydrogen Đinh Thị Đức Hạnh Hoàng Văn Dũng Trần Cao Vinh Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG-HCM ( Bài nhận ngày 10 tháng 12 năm 2014, nhận đăng ngày 23 tháng 09 năm 2015) TÓM TẮT 2 -1 -1 Màng mỏng dẫn điện trong suốt ZnO có nhiều so với giá trị 23 cm .V .s đạt được độ linh động điện tử cao được phủ trên đế trong màng ZnO phủ bằng phún xạ trong khí thủy tinh bằng phương pháp phún xạ Ar thuần (ZnO) với cùng điều kiện chế tạo. 20 magnetron DC trong hỗn hợp khí argon và Bên cạnh đó, giá trị nồng độ điện tử 1,5 10 -3 hydrogen (Ar + H2) ở nhiệt độ phòng. Một cm trong màng ZnO:H cũng cao hơn giá trị 19 -3 lượng nhỏ khí H2 đưa vào trong khí phún xạ 6×10 cm trong màng ZnO. Kết quả XRD Ar cải thiện đáng kể độ linh động điện tử của và FESEM cho thấy màng ZnO:H có kích màng mỏng ZnO. Với tỉ lệ H2/Ar theo lưu thước hạt tinh thể lớn hơn so với màng ZnO. lượng dòng khí đưa vào từ 7,2 % đến 19,2 Với độ dày 600 nm, các phép đo phổ UV%, điện trở suất của màng ZnO có H Vis-NIR và đầu dò 4 mũi cho thấy màng -4 (ZnO:H) ổn định và đạt giá trị là 6.6×10 ZnO:H (cùng với đế) có độ truyền qua trung Ω.cm. Ở tỉ lệ dòng khí H2/Ar là 7,2 %, độ linh bình trong vùng bước sóng 380-1100 nm là động Hall của điện tử trong màng ZnO:H đạt 83 % và điện trở mặt là 11 /vuông. 2 -1 -1 giá trị cao nhất là 61 cm .V .s , lớn hơn rất Từ khóa: dẫn điện trong suốt; màng mỏng ZnO; phún xạ magnetron DC; độ linh động điện tử. MỞ ĐẦU Ngày nay màng mỏng trong suốt dẫn điện đã được ứng dụng hết sức rộng rãi trong rất nhiều các thiết bị quang – điện tử, chẳng hạn như là trong thiết bị diod phát quang (LEDs) [1], màn hình hiển thị phẳng [2], pin mặt trời [3, 4] Màng mỏng ZnO là một lựa chọn được nhiều nhóm nghiên cứu quan tâm phát triển để ứng dụng trong các thiết bị quang – điện tử trên, bởi vì màng mỏng ZnO có