Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Nghiên cứu chế tạo màng dẫn điện trong suốt loại n SnO2 pha tạp Ta trên đế thạch anh bằng phương pháp phún xạ Magnetron DC

Bài viết này tập trung nghiên cứu chế tạo màng dẫn điện trong suốt SnO2 pha tạp Ta (TTO) đƣợc lắng đọng ở các nhiệt độ đế khác nhau. Màng TTO đƣợc lắng đọng trên đế thạch anh bằng phƣơng pháp phún xạ magnetron DC. Cấu trúc tinh thể và tính chất quang và điện của màng đƣợc khảo sát bằng giản đồ nhiễu xạ tia X, phổ truyền qua Uv-Vis và phép đo Hall. Mời các bạn cùng tham khảo! | Tạp chí Khoa học và Công nghệ Số 43B 2020 NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT LOẠI n SnO2 PHA TẠP Ta TRÊN ĐẾ THẠCH ANH BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON DC NGÔ NGỌC HƢNG1 ĐẶNG HỮU PHÚC1 NGUYỄN THỊ MỸ HẠNH2 LÊ TRẤN3 TRẦN BÍCH THỦY 1 Khoa Khoa học Cơ bản trường Đại học Công nghiệp TP. HCM 2 Khoa cơ khí trường Đại học Công nghiệp TP. HCM 3 Khoa vật lý-vật lý kỹ thuật trường Đại học Khoa học tự nhiên TP.HCM danghuuphuc@iuh.edu.vn Tóm tắt. Công trình này tập trung nghiên cứu chế tạo màng dẫn điện trong suốt SnO 2 pha tạp Ta TTO đƣợc lắng đọng ở các nhiệt độ đế khác nhau. Màng TTO đƣợc lắng đọng trên đế thạch anh bằng phƣơng pháp phún xạ magnetron DC. Cấu trúc tinh thể và tính chất quang và điện của màng đƣợc khảo sát bằng giản đồ nhiễu xạ tia X phổ truyền qua Uv-Vis và phép đo Hall. Kết quả cho thấy màng có cấu trúc tứ giác rutile của SnO2 đa tinh thể với mặt ƣu tiên SnO2 101 . Màng đạt giá trị điện trở suất thấp nhất ở điều kiện tối ƣu ở 300oC là 4 50 x 10 -3 cm với nồng độ hạt tải và độ linh động lần lƣợt là 5 51 x 10 20 cm-3 3 08 cm2V-1s-1 đồng thời độ truyền qua trung bình của màng trong vùng khả kiến trên 80 . Đặc trƣng I-V của tiếp xúc dị thể n-TTO p-Si đƣợc khảo sát ở điều kiện đƣợc chiếu sáng và không chiếu sáng. Từ khóa. màng loại n SnO2 Ta phún xạ magnetron DC X-ray Hall I-V. STUDYING FABRICATING AND INVESTIGATING THE INFLUENCE OF DOPANTS ON ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF SnO 2 In TIO AND SnO2 Zn ZTO PREPARED BY DC MAGNETRON SPUTTERING Abstract. This report focuses on studying and fabricating Ta-doped SnO2 TTO films following various depositing temperatures. TTO films were deposited on quartz glass substrates using a direct current DC magnetron sputtering method. Structure and opto-electrical properties were investigated by X-ray patterns Uv-Vis spectra and Hall measurement. These results show a tetragonal rutile structure of the SnO2 in which the preferred 101 was dominant. The best conductivity of TTO film was achieved at the optimum .