Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Design of a high-efficiency GaN high-electron mobility transistor microwave power amplifier

Không đóng trình duyệt đến khi xuất hiện nút TẢI XUỐNG

This study presents a design procedure to obtain high-efficiency for microwave power amplifier. The designed amplifier uses a GaN high electron mobility transistor as an active device. Matching networks including input and output networks are realized using Megtron6 substrate microstrip lines. The designed amplifier operates at 2.1 GHz band. |

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

Principles of degital design

Digital design Principles of modern digital design

Design Creativity 2010

Lecture Chapter 9: Moving to design

Lecture RTL hardware design - Chapter 9: Sequential circuit design

Lecture RTL hardware design - Chapter 13: Hierarchical design

Anchor rod design - Steel design guide 1

Lecture Top-Down Network Design - Chapter 14: Documenting Your Network Design

Hướng dẫn học OptiSys Design

Ebook The mechanical design process (4th edition): Part 1
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.