Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Chapter 8: Advanced Design Techniques and Recent Design Examples of CMOS OP AMPs

Không đóng trình duyệt đến khi xuất hiện nút TẢI XUỐNG

Tài liệu tham khảo về bài tập lớn vi điện tử. | 8 - 1 CHUNG-YU WU Chapter 8 Advanced Design Techniques and Recent Design Examples of CMOS OP AMPs 8-1 Advanced Design Techniques of CMOS OP AMPs 8-1.1 Improved PSRR and frequency compensation P626 l C dlo 1 dVGSi Cgd 1 dlo . - Vss C _dVss -g Vss J C 2g dVss dVout Cgd 1 _ Io 1 Cgs 1 Io dVDD C dVDD 2gm. J Cj 2gm1 dVDD Where Io represents the input stage bias current. If Io is independent of Vss and VDD and the input devices have no body effect. 0 - V 3Vdd Ci Ref. IEEE JSSC vol. SC-15 pp.929-938 Dec. 1980 IREF is generated by using the power supply independent current source. VBIAS is nearly independent of VDD and Vss. It is better to use separate p-wells for M1 and M2 to avoid the body effect. Tracking RC compensation Conceptual circuits 8 - 2 CHUNG-YU WU In the quiescent case Vin2 Vos2 Cc If W L a W L b W L c Kr-C -Cc CL RdsA Cc Cl ------L Rc gm 2Cc The requires Rc is Rc 1 gm2 1 Cd CL Cc 1 gm2 Cc CL Cc Thus LHP zero LHP pole P2 and P3 becomes the second pole. The stability considerations P3 AdP or Cc gm c1cL gm 2 allows a smaller gm2 and larger CL RdsA Rc indep of temperature process and supply variations. Tracking design to make sure that z P2 No pole-zero doublet problem 8 - 3 CMOS Design CHUNG-YU WU M17 Cc Tracking RC compensation. M9 M11 Sharing the separate n-well. VBiaS is not strictly independent of VDd and VSS. 8-1.2 Improved frequency compensation technique. Ref. IEEE JSSC vol.sc-18 pp 629-633 Dec.1983 Grounded gate cascode compensation Vdd M11 VBIAS1 Cc 5pF 3x MB M7 BIAS2 Vo M6 I M10 3x VBIAS1 .

Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.