Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Giáo trình Oxy hóa nhiệt 2

Tính chất của mặt phân cách Si – SiO2 có ảnh hưởng quyết định tới các thông số và sự hoạt động của các linh kiện trong IC. Phân biệt bốn loại điện tích : các điện tích Qit bị bẫy trên bề mặt phân cách, các điện tích cố định Qf của lớp SiOx | Ô xy hóa nhiệt tiếp Mặt phân cách Si - Si02 Tính chất của mặt phân cách Si - SiO2 có ảnh hưởng quyết định tới các thông số và sự hoạt động của các linh kiện trong IC. Phân biệt bốn loại điện tích các điện tích Qit bị bẫy trên bề mặt phân cách các điện tích cố định Qf của lớp SiOx 1 x 2 các điện tích Qot bị bẫy trong lớp SiO2 và nhất là các điện tích linh động Qm. Qm khó bị loại trừ hơn cả. Biện pháp là giữ sạch và sử dụng hiệu ứng gettering ô xy hóa với khí có chứa halogen . Để giảm Qf người ta sử dụng môi trường khí trơ Ar hoặc N2 để làm nguội mẫu sau khi ô xy hóa tạo lớp SiO2. Bước ủ mẫu cuối cùng ở 450 - 500 C trong môi trường 10 H2 90 N2 forming gaz sau khi phủ lớp kim loại làm đường dẫn sẽ giúp giảm thiểu Qit. 1 1 2007 Đại học Bách khoa Hà Nội 10 ổ xy hóa nhiệt tiếp Hiệu ứng nồng độ tạp chất cao Nồng độ tạp chất càng cao tại bề mặt Si càng có nhiều nút khuyết khiến ks tăng. Ví dụ Sự phụ thuộc của các hệ số B A B trong ô xy hóa nhiệt khô ở 900 C vào nồng độ bề mặt của tạp P 1 1 2007 Đại học Bách khoa Hà Nội 11 Ô xy hóa nhiệt tiếp Sự phụ thuộc vào định hướng tinh thể của đế Si Là sự phụ thuộc của ks vào các mặt tinh thể ks 111 ks 100 . Do mật độ bề mặt các nguyên từ Si khác nhau tại mặt 100 là 7.1014cm-2 tại 111 -8. 7.1014cm 2. 100 im 111 Mật độ nguyên tử càng cao số các liên kết có sẵn để tham gia phản ứng hóa học càng lớn. Mỏng hơn Sự khác biệt càng lớn nếu chiều dày các lớp SiO2 càng nhỏ. Dày hơn 1 1 2007 Đại học Bách khoa Hà Nội .