Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Giáo trình Oxy hóa nhiệt 3

Mô hình Deal – Grove phù hợp rất tốt với kết quả thực nghiệm, trừ trường hợp các lớp SiO2 mỏng dưới 20 nm thu được trong ô xy hóa khô với O2. Vì vậy, trong các lớp SiO2 dày, người ta thường lấy giá trị lớp SiO2 ban đầu Xi = 25 nm khi áp dụng mô hình Deal – Grove. Các lớp SiO2 mỏng được dùng trong các linh kiện tunnel, cũng như trong VLSI – ULSI điện áp nguồn thấp. Ngoài ra, cũng cần kể đến lớp SiO2 tự nhiên với chiều dày ~ 10 – 100. | Ô xy hóa nhiệt tiếp Ô xy hóa tạo lớp SiO2 mỏng Mô hình Deal - Grove phù hợp rất tốt với kết quả thực nghiệm trừ trường hợp các lớp SiO2 mỏng dưới 20 nm thu được trong ô xy hóa khô với O2. Vì vậy trong các lớp SiO2 dày người ta thường lấy giá trị lớp SiO2 ban đầu Xi 25 nm khi áp dụng mô hình Deal - Grove. Các lớp SiO2 mỏng được dùng trong các linh kiện tunnel cũng như trong VLSI -ULSI điện áp nguồn thấp. Ngoài ra cũng cần kể đến lớp SiO2 tự nhiên với chiều dày 10 - 100 Â thường phát triển rất nhanh trên bề mặt Si sạch ngay cả ở nhiệt độ không cao. Khi Xox trở nên lớn số À hạng bổ chính có giá trị tiến tới 0 L - 7nm 1 1 2007 Đại học Bách khoa Hà Nội 18 Ô xy hóa nhiệt tiếp Lớp tunnel SiO2 So sánh thực nghiệm và kết quả mô hình Fowler - Nordheim trong các lớp tunnel SiO2. Với các lớp tunnel SiO2 không dày hơn 3 nm còn có phần đóng góp của dòng rò bổ sung do cơ chế tunnel trực tiếp. 1 1 2007 Đại học Bách khoa Hà Nội 19 Ô xy hóa nhiệt tiếp Ảnh hiển vi điện tử truyền qua của lớp SiO2. Khi lớp SiO2 mỏng đi hiệu ứng tunnel tăng lên. Tuy nhiên nếu chiều dài kênh dẫn giảm xuống có thể bỏ qua hiệu ứng tunnel - lại có thể chế tạo các transistor MOS kích thước nhỏ với lớp ô xit cực cửa rất mỏng. Với các lớp tunnel SiO2 1 5 nm tần số cắt của MOSFET lên tới 150 GHz. MOSFET với lớp SiO2 cực cửa dày 1 3 nm có mật độ dòng điện trong kênh dẫn 1 8 mA mm độ hỗ dẫn cực cao 1 2 S mm tại nguồn nuôi 1 5 V. Đã có các mạch VLSI với nguồn nuôi 0 5 V. 1 1 2007 Đại học Bách khoa Hà Nội .