Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Đề tài seminar : Khắc bằng chùm điện tử

Không đóng trình duyệt đến khi xuất hiện nút TẢI XUỐNG

Electron beam lithography (EBL) là thuật ngữ chỉ công nghệ tạo các chi tiết trên bề mặt (các phiến Si.) có kích thước và hình dạng giống như thiết kế bằng cách sử dụng chùm điện tử có năng lượng cao làm biến đổi các chất cản quang phủ trên bề mặt phiến. EBL là một công cụ phổ biến trong công nghệ nanô để tạo ra các chi tiết, các linh kiện có kích thước nhỏ với độ chính xác cực cao | Đề tài seminar : Khắc bằng chùm điện tử Nhóm 6 : Thành viên : 1. Phạm văn Thanh 2. Phạm văn Cường 3. Nguyễn văn Cường 4. Nguyễn xuân Thái 5. Nguyễn hữu Kiên 6.Nguyễn văn Mạnh 7.Trương văn Dũng 8. Bùi văn Phong Quang khắc chùm điện tử Electron beam lithography (EBL) là thuật ngữ chỉ công nghệ tạo các chi tiết trên bề mặt (các phiến Si.) có kích thước và hình dạng giống như thiết kế bằng cách sử dụng chùm điện tử có năng lượng cao làm biến đổi các chất cản quang phủ trên bề mặt phiến. EBL là một công cụ phổ biến trong công nghệ nanô để tạo ra các chi tiết, các linh kiện có kích thước nhỏ với độ chính xác cực cao. NGUYÊN LÝ CỦA EBL Cấu tạo của thiết bị EBL gần giống như một kính hiển vi điện tử quét, có nghĩa là tạo chùm điện tử có năng lượng cao, sau đó khuếch đại và thu hẹp nhờ hệ thấu kính từ, rồi chiếu chùm điện tử trực tiếp lên mẫu cần tạo Khác với quang khắc truyền thống (photolithography), EBL sử dụng chùm điện tử nên không cần mặt nạ tạo hình mà chiếu trực tiếp chùm điện tử lên bề mặt mẫu, và dùng các cuộn dây để quét điện tử nhằm vẽ ra các chi tiết cần tạo. Chùm điện tử của các EBL mạnh có thể có kích thước từ vài nm đến hàng trăm nm. NGUYÊN LÝ CỦA EBL Bề mặt của phiến được phủ một hợp chất hữu cơ gọi là chất cản quang (resist) . Chất này bị biến đổi tính chất dưới tác dụng của chùm điện tử Nguyên lý 2 phương pháp trong EBL Nguyên lý 2 phương pháp trong EBL: kỹ thuật liff-off (trái) và kỹ thuật ăn mòn (phải) Một số loại cản quang và độ phân giải của chúng Kỹ thuật lift-off PHỦ LỚP CẢN QUANG DƯƠNG LÊN ĐẾ PHẦN CẢN QUANG DƯƠNG ĐƯỢC CHIẾU SÁNG SẼ BỊ ĂN MÒN ĐỂ LẠI KHUÔN CÓ HÌNH DẠNG VẬT LIỆU CẦN TẠO SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP BỐC BAY VẬT LIỆU ĐỂ PHỦ VẬT LIỆU LÊN KHUÔN LOẠI BỎ KHUÔN CẢN QUANG THU ĐƯỢC VẬT LIỆU CÓ HÌNH DẠNG MONG MUỐN TRÊN ĐẾ Kỹ thuật ăn mòn NGƯỜI TA PHỦ LÊN TẤM ĐẾ LỚP VẬT LIỆU TẠO KHUÔN SAU ĐÓ PHỦ LỚP CẢN QUANG ÂM LÊN TRÊN. SAU KHI TRÁNG RỬA, PHẦN CẢN QUANG ÂM ĐƯỢC CHIẾU SÁNG SẼ KHÔNG BỊ ĂN MÒN, PHẦN CẢN QUANG KHÔNG ĐƯỢC CHIẾU SÁNG BỊ ĂN MÒN ĐỂ LỘ RA LỚP VẬT LIỆU. ĂN MÒN LỚP VẬT LIỆU LỘ RA LOẠI BỎ LỚP CẢN QUANG, NGƯỜI TA THU ĐƯỢC VẬT LIÊU CẦN CHẾ TẠO PHƯƠNG PHÁP EBL Ưu Điểm : •Vì dùng chùm điện tử nên có khả năng tạo chùm tia hẹp hơn rất nhiều so với ánh sáng, do đó có thể tạo các chi tiết có độ phân giải cao và kích thước nhỏ hơn rất nhiều so với photolithography. •Dễ dàng tạo các chi tiết phức tạp. •Chùm điện tử có thể điều khiển quét trên bề mặt mẫu bằng cách cuộn dây nên có thể vẽ trực tiếp chi tiết mà không cần mặt nạ như photolithography Nhược Điểm : Phương pháp EBL chậm hơn nhiều so với photolithography ,rất đắt tiền Ứng Dụng ViệnCôngnghệ Massachuset (MIT, Mỹ) vừa tìm được cách chế tạo chip với các kích thước chi tiết 9nm. Kỷ lục công nghệ đạt được trong phòng thí nghiệm trước đây là 25nm. Các tấm wafer để sản xuất chip Ứng Dụng Có kích thước cực nhỏ: 0,15 x 0,15 mm và bề dày chỉ 7,5 micro mét Ứng Dụng Thanks for Watching

Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.