Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Quãng đường tự do trung bình của điện tử năng lượng thấp trong vật liệu

TS Nguyễn Trương Thanh Hiếu (Trường Đại học Tôn Đức Thắng) đã được trao Giải thưởng trẻ Giải thưởng Tạ Quang Bửu năm 2020 với công trình“Low-energy electron inelastic mean free path in materials” (Quãng đường tự do trung bình của điện tử năng lượng thấp trong vật liệu), đăng trên Tạp chí Applied Physics Letters (Vol 108, p.172901, 2016). Công trình này đã đề xuất một phương pháp tổng quát để xác định quãng đường tự do trung bình của điện tử năng lượng thấp, có thể áp dụng cho nhiều loại vật liệu khác nhau, từ vật liệu khối có cấu trúc chu kỳ cho đến vật liệu vô định hình, và cả vật liệu hai chiều đang rất được quan tâm hiện nay. | Quãng đường tự do trung bình của điện tử năng lượng thấp trong vật liệu Chào mừng Ngày KH amp CN Việt Nam Quãng đường tự do trung bình của điện tử năng lượng thấp trong vật liệu TS Nguyễn Trương Thanh Hiếu Trường Đại học Tôn Đức Thắng đã được trao Giải thưởng trẻ Giải thưởng Tạ Quang Bửu năm 2020 với công trình Low-energy electron inelastic mean free path in materials Quãng đường tự do trung bình của điện tử năng lượng thấp trong vật liệu đăng trên Tạp chí Applied Physics Letters Vol 108 p.172901 2016 . Công trình này đã đề xuất một phương pháp tổng quát để xác định quãng đường tự do trung bình của điện tử năng lượng thấp có thể áp dụng cho nhiều loại vật liệu khác nhau từ vật liệu khối có cấu trúc chu kỳ cho đến vật liệu vô định hình và cả vật liệu hai chiều đang rất được quan tâm hiện nay. Q uãng đường tự do liên quan đến vận chuyển điện dimensional electron transport trung bình của điện tử năng lượng thấp trong nước quantum point contacts and tử trong quá trình lỏng Nature Chemistry 2 p.274 wires của các tác giả Mukunda tán xạ không đàn 2010 và tế bào sinh học Nature P. Das và Frederick Green đăng hồi electron inelastic mean free Materials 14 p.904 2015 . trên Tạp chí Advances in Natural path là một đại lượng quan trọng Sciences Nanoscience and Ở Việt Nam lý thuyết tán xạ trong lý thuyết tán xạ điện tử Nanotechnology của Viện Hàn điện tử đã được nghiên cứu từ lâu Nature 517 p.342 2015 đóng lâm Khoa học và Công nghệ Việt và thường liên quan đến tốc độ vai trò thông tin đầu vào trong các Nam. tán xạ scattering rate điển hình phương pháp phân tích bề mặt là công trình Electron scattering Trong công trình Low-energy vật liệu bằng kỹ thuật phổ điện tử from polarization charges bound electron inelastic mean free path và chụp ảnh vật liệu ở cấp độ vi on a rough interface of polar in materials Applied Physics điện tử Nature Nanotechnology heterostructures của các tác Letters 108 p.172901 2016 6 p.651 2011 . Trong hàng thập giả Đoàn Nhật Quang Nguyễn TS Nguyễn Trương .