Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InAs-GaAs

Không đóng trình duyệt đến khi xuất hiện nút TẢI XUỐNG

Mục tiêu của đề tài "Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InAs-GaAs" là khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử tam giác InAss/GaAs có tính đến ảnh hưởng của một số nguồn giam giữ cụ thể: Mật độ điện tích phân cực trên mặt chuyển tiếp và mật độ lá điện tử, bằng phương pháp cơ học lượng tử. |

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám thông qua tỉ số độ rộng phổ trong giếng lượng tử InN/GaN

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát mật độ trạng thái điện tử trong graphane hai lớp dưới ảnh hưởng của điện trường và từ trường không đổi

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám từ mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử InN/GaN

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử GaN/AIN

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InN/GaN

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InAs-GaAs

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám thông qua tỉ số độ rộng phổ thông trong giếng lượng tử ZnO/MgZnO

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám thông qua mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử GaN-AlN

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám thông qua mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử InAs/AlAs

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.