Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám từ cường độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb

Không đóng trình duyệt đến khi xuất hiện nút TẢI XUỐNG

Mục tiêu nghiên cứu của đề tài "Khảo sát cấu hình nhám từ cường độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb" là xác định hai kích thước của cấu hình nhám trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb thông qua khảo sát cường độ hấp thụ tích hợp của độ rộng phổ và chiều cao đỉnh phổ. |

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám từ mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử InN/GaN

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám thông qua tỉ số độ rộng phổ trong giếng lượng tử InN/GaN

Luận văn Thạc sĩ: Khảo sát quá trình nén Hong - Mandel của trạng thái chồng chất hai trạng thái kết hợp vuông pha

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám từ cường độ cao hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử GaAs/AlGaAs

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám thông qua tỉ số độ rộng phổ thông trong giếng lượng tử ZnO/MgZnO

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám thông qua mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử GaN-AlN

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám thông qua mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử InAs/AlAs

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám từ cường độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb

Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám từ tỉ số độ rộng phổ trong giếng lượng tử InGaAs-InAlAs

Luận văn Thạc sĩ Khoa học vật chất: Chế tạo và khảo sát cấu trúc, tính chất điện - từ của vật liệu tổ hợp BaTiO3/manganite La1-xSrxMnO3
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.