Bài viết Nghiên cứu tính chất quang của các cấu trúc dạng đai lai hóa ZnS-ZnO chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt trình bày việc chế tạo các cấu trúc dạng đai ZnS-ZnO bằng phương pháp bốc bay nhiệt nhằm nghiên cứu tính chất quang của chúng, định hướng ứng dụng trong việc chế tạo đi-ốt phát sáng tử ngoại. | Tuyển tập Hội nghị Khoa học thường niên năm 2018. ISBN 978-604-82-2548-3 NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC CẤU TRÚC DẠNG ĐAI LAI HÓA ZnS-ZnO CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP BỐC BAY NHIỆT Nguyễn Văn Nghĩa1 Nguyễn Duy Hùng2 1 Trường Đại học Thủy lợi email nghiangvan@ 2 Viện Tiên tiến Khoa học và Công nghệ AIST Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội 1. GIỚI THIỆU CHUNG 3. KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU ZnS và ZnO đều là các bán dẫn thuộc Hình thái của các mẫu thu được từ ảnh nhóm AIIBVI được ứng dụng nhiều trong chụp qua kính hiển vi điện tử quét cho thấy quang điện tử. Độ rộng vùng cấm của ZnS các cấu trúc có dạng đai với bề rộng dưới 1 là cỡ 3 7 eV trong khi của ZnO cỡ 3 3 eV μm. Bề mặt của các đai là nhẵn nên có thể 2 cả hai bán dẫn này đều thích hợp cho các tinh thể ZnO và ZnS liên kết với nhau ứng dụng chế tạo các đi-ốt phát xạ tử ngoại. bên trong các đai. Với các cấu trúc lai hóa giữa hai bán dẫn này thường cho các tính chất quang mới hoặc cường độ huỳnh quang được tăng cường. Trong bài báo này chúng tôi chế tạo các cấu trúc dạng đai ZnS-ZnO bằng phương pháp bốc bay nhiệt nhằm nghiên cứu tính chất quang của chúng định hướng ứng dụng trong việc chế tạo đi-ốt phát sáng tử ngoại. 2. PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU Các mẫu được chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt sử dụng tiền chất là bột ZnS Hình 1. Ảnh SEM của các cấu trúc ZnS-ZnO Sigma Aldrich 97 5 các đế lắng đọng Để xác nhận thành phần của các đai phổ vật liệu là Si SiO2 phủ 10 nm Au khí mang EDS được tiến hành đo trên thân của chúng. sử dụng là Ar một số điều kiện thí nghiệm gồm nhiệt độ nguồn 1100 o C thời gian bốc bay 20 phút lưu lượng khí Ar 100 cm3 phút tốc độ gia nhiệt 10 o C phút. Hình thái của mẫu thu được nhờ ảnh chụp từ kính hiển vi điện tử quét SEM thành phần và pha được xác định từ phổ tán sắc năng lượng tia X EDS và giản đồ nhiễu xạ tia X XRD . Tính chất quang được xác định từ phổ huỳnh quang PL và phổ kích thích huỳnh quang PLE . Hình 2. Phổ EDS của các đai 139 Tuyển tập Hội nghị Khoa học thường niên năm 2018. ISBN .
