Bài viết Nghiên cứu đặc tính cấu trúc của vật liệu tổng hợp graphene oxit dạng khử sử dụng tác nhân khử là acid ascorbic sẽ hướng tới nâng cao hiệu quả quá trình khử GO về RGO bằng tác nhân acid ascorbic, tăng cường cấu trúc graphen cũng như khử hóa triệt để các nhóm chức chứa oxi. | Tạp chí phân tích Hóa Lý và Sinh học - Tập 27 Số 3 2022 NGHIÊN CỨU ĐẶC TÍNH CẤU TRÚC CỦA VẬT LIỆU TỔNG HỢP GRAPHENE OXIT DẠNG KHỬ SỬ DỤNG TÁC NHÂN KHỬ LÀ ACID ASCORBIC Đến toà soạn 28-06-2022 Phan Thị Thùy Trang Đỗ Thị Diễm Thúy Nguyễn Thị Lan Khoa Khoa học Tự nhiên Trường Đại học Quy Nhơn Email nguyenthilan@ SUMMARY STUDY STRUCTURE PROPERTIES OF GRAPHENE OXIDE SYNTHETIC MATERIALS USING ASCORBIC ACID AS REDUCING AGENT This work dealt withusing ascosbic acid as reducing agentfor the reduction of graphene oxide GO to form reduced graphene oxide RGO .Graphen oxide GO was synthesized via Hummers method. The GO and RGO materialswere characterized by X-ray diffraction XRD Fourier-transform infrared spectroscopy FT-IR scanning electron microscopy SEM high resolution transmission electron microscopy HR-TEM and Brunauer Emmett Teller BET . The results showed that the obtained reduced graphene oxide RGO sample had a similar structure to the one of graphene and rather high surface area of m2 g. Keywords Graphene graphene oxide GO reduced graphene oxide RGO ascorbic acid. 1. GIỚI THIỆU phương pháp epitaxy trên nền SiC. Phần lớn Ngày nay vật liệu cấu trúc nano cacbon được các quá trình này rất phức tạp sản phẩm có quan tâm nghiên cứu và ứng dụng rộng rãi vì kích thước nhỏ quy mô tổng hợp nhỏ. Phương có nhiều tính chất ưu việt trong số đó phải kể pháp CVD có ưu điểm là tạo ra màng graphen đến graphen 1 . Graphen là loại vật liệu có có diện tích lớn và có độ đồng đều cao hơn so cấu trúc hai chiều được hình thành từ các với các phương pháp khác nhưng có nhược nguyên tố cacbon liên kết sp2 có khả năng ứng điểm là thực hiện ở nhiệt độ cao 1000 oC khó dụng đa dạng nhờ các tính chất đặc biệt như kiểm soát hình thái học và năng lượng bám diện tích bề mặt riêng lớn 2600 m2 g độ dẫn dính 3 . Trong khi đó khử hóa học từ GO điện tốt độ truyền quang cao 2 . Những đặc được xem là phương pháp nhanh nhất để sản tính này cho phép graphen được sử dụng trong xuất graphen với số .
