Bài viết đề xuất thực hiện thiết kế và mô phỏng một mạch khuếch đại tạp âm thấp hoạt động ở bằng tần X với mục đích sử dụng cho bộ thu tín hiệu thông tin từ vệ tinh. Mạch được thiết kế với phương pháp phối hợp trở kháng dải rộng thay đổi thang trở kháng đặc trưng. Mạch hoạt động ở tần số 11 GHz với hệ số khuếch đại lớn đạt trên 12,8 dB và hệ số tạp âm NF nhỏ hơn 0,9 dB. Mời các bạn cùng tham khảo! | Thiết kế mô phỏng mạch khuếch đại tạp âm thấp sử dụng cho bộ thu tín hiệu vệ tinh Đoàn Hữu Chức và Trần Hữu Trung Khoa Điện Điện tử Trường Đại Học Dân Lập Hải Phòng Email chucdh@ trungth@ Abstract Trong bài báo này chúng tôi đề xuất thực hiện thiết Hệ thống thông tin siêu cao tần được ứng dụng trong các vệ kế và mô phỏng một mạch khuếch đại tạp âm thấp hoạt động ở tinh thông tin. Việt Nam đã có hai vệ thông tin VINASAT I và bằng tần X với mục đích sử dụng cho bộ thu tín hiệu thông tin từ II đặt trên quỹ đạo địa tĩnh. Ngoài ra một số dự án phóng vệ vệ tinh. Mạch được thiết kế với phương pháp phối hợp trở kháng tinh quỹ đạo tầm thấp LEO cũng đang được triển khai. Các vệ dải rộng thay đổi thang trở kháng đặc trưng. Mạch hoạt động ở tinh quỹ đạo thấp có các dải tần phát xuống trong băng tần X. tần số 11 GHz với hệ số khuếch đại lớn đạt trên 12 8 dB và hệ số tạp âm NF nhỏ hơn 0 9 dB. Do đó việc nghiên cứu thiết kế và mô phỏng trạm thu tín hiệu vệ tinh hoạt động ở băng tần trên là rất có ý nghĩa khoa học. Keywords- Bộ thu tín hiệu siêu cao tần mạch khuếch đại tạp Trong bài báo này tác giả trình bày việc thiết kế mô phỏng âm thấp phối hợp trở kháng dải rộng. một mạch khuếch đại LNA hoạt động ở tần số 11GHz sử dụng transistor ATF36077 với hệ số khuếch đại lớn và nhiễu nhỏ. I. GIỚI THIỆU Ngày nay hệ thống truyền thông sử dụng sóng siêu cao tần II. THIẾT KẾ đóng vai trò quan trọng trong sự phát triển của việc truyền Mạch khuếch đại Transistor đơn tầng với mạch phối hợp trở thông tin. Trong hệ thống siêu cao tần bộ khuếch đại là thành kháng đầu vào và ra được biểu diễn như ở hình 2 1 2 6 . phần cơ bản và phổ biến. Các transistor trong bộ khuếch đại có thể hoạt động trong khoảng tần số rất rộng lên tới 100 GHz ở những ứng dụng yêu cầu kích thước nhỏ gọn hệ số tạp âm NF thấp dải thông rộng và tiêu hao năng lượng thấp. Kỹ thuật thiết kế mạch khuếch đại sử dụng BJT và FET dựa trên các khái niệm được nghiên cứu về đường truyền sóng siêu cao tần Hình 2. Sơ đồ .
