Bài viết Ảnh hưởng nhiệt độ ủ lên cấu trúc tinh thể, tính chất điện và cảm biến pH của màng SnO2 pha tạp Sb nghiên cứu ảnh hưởng của nhiệt độ ủ đến cấu trúc tinh thể, tính chất điện và cảm biến pH của màng SnO2 pha tạp Sb. | Tạp chí Khoa học và Công nghệ Số 53A 2021 ẢNH HƯỞNG NHIỆT ĐỘ Ủ LÊN CẤU TRÚC TINH THỂ TÍNH CHẤT ĐIỆN VÀ CẢM BIẾN PH CỦA MÀNG SNO2 PHA TẠP SB LÝ THANH BÌNH Khoa khoa học cơ bản Trường Đại học Công nghiệp thành phố Hồ Chí Minh lythanhbinh@ Tóm tắt. Công trình này nghiên cứu ảnh hưởng của nhiệt độ ủ đến cấu trúc tinh thể tính chất điện và cảm biến pH của màng SnO2 pha tạp Sb. Màng SnO2 pha tạp Sb được lắng đọng trên đế thạch anh bằng phương pháp Sol-gel phủ nhún. Màng sau đó được ủ ở các nhiệt độ khác nhau 300 C 500 C và 700 C trong 120 phút trong môi trường không khí. Cấu trúc tinh thể hình thái bề mặt và tính chất điện của các màng được khảo sát bằng giản đồ nhiễu xạ tia X ảnh FESEM và phép đo Hall. Kết quả cho thấy các thông số hằng số mạng kích thước tinh thể kích thước hạt bị ảnh hưởng bởi nhiệt độ ủ. Kích thước tinh thể của màng tăng từ 17 lên 27 nm khi nhiệt độ ủ tăng từ 300 C lên 700 C. Điện trở suất của màng giảm trong khoảng nhiệt độ ủ 300 C và 500 C và tăng trở lại khi nhiệt độ ủ đạt 700 C. Ngoài ra màng ATO 700 C đạt giá trị độ nhạy cao nhất 50 mV pH. Từ khóa. Cảm biến pH cấu trúc EGFET sol-gel SnO2 pha tạp Sb. INFLUENCE ANNEALING TEMPERATURE ON STRUCTURAL ELECTRICAL AND PH SENSOR PROPERTIES OF SB DOPED SNO2 FILMS Abstract. This study investigates annealing temperature on structural electrical properties and pH response of the Sb-doped SnO2 membrane. Sb-doped SnO2 films were deposited on the quartz substrate by sol-gel dip-coating technique. The films were annealed at temperatures 300 C 500 C and 700 C in the air for 120 minutes. The structure surface morphologies and electrical properties were observed by X-ray diffraction FESEM images and Hall measurements. The results showed that lattice constant crystal size and particle size are affected by annealed temperature. The crystal size increased from 17 to 27 nm as the temperature increased from 300 C to 700 C. The resistivity of films decreases in the range temperatures of 300 C and 500 C and .
