Bài viết Diode cộng hưởng đường hầm làm từ vật liệu lớp nguyên tử MoS2 trình bày việc chế tạo và khảo sát linh kiện diode cộng hưởng đường hầm được làm từ vật liệu có cấu trúc lớp nguyên tử MoS2. | ISSN 1859-1531 - TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG SỐ 1 86 .2015 69 DIODE CỘNG HƯỞNG ĐƯỜNG HẦM LÀM TỪ VẬT LIỆU LỚP NGUYÊN TỬ MoS2 RESONANT TUNNELING DIODE MADE UP OF ATOMIC-LAYERED MoS2 MATERIALS Nguyễn Linh Nam Trường Cao đẳng Công nghệ Đại học Đà Nẵng nlnam911@ Tóm tắt - Vật liệu cấu trúc lớp hai chiều molybdenum disulfide Abstract - The two - dimensional layer of molybdenum disulfide MoS2 thu hút sự chú ý và nghiên cứu rất nhiều gần đây bởi đặc MoS2 has recently attracted much interest due to its direct-gap tính đặc biệt của về độ rộng vùng cấm trực tiếp và có tiềm năng property and potential applications in electronic and optoelectronic ứng dụng rất lớn trong các thiết bị điện tử và quang điện tử. Trong devices. Here we fabricated and measured a resonant tunneling nghiên cứu này chúng tôi chế tạo và đo đạc khảo sát một diode diode made up of atomic-layered MoS2 based on nanopore cộng hưởng đường hầm làm từ vật liệu lớp nguyên tử MoS2 dựa structure device. High - quality crystalline MoS2 films were trên linh kiện cấu trúc lỗ nano. Những màng mỏng có cấu trúc tinh synthesized and transferred on the top of nanopore. After thể cao MoS2 được tổng hợp và được đặt trên đỉnh của lỗ nano. transferring of the trilayer MoS2 Al films were subsequently Sau đó kim loại nhôm được cho bốc hơi bám vào hai mặt của lớp thermally evaporated onto the both sides of the chip to form top màng MoS2 này để tạo thành các điện cực cho việc đo và khảo sát and bottom electrodes for electrical measurement. The current- đặc tính dẫn điện. Đặc tính dòng - áp của linh kiện diode thể hiện voltage characterristics displayed the negative differential điện trở khác biệt âm đây là một trong những đặc điểm nổi bật để resistance which is a signature for resosnant tunneling diode. nhận biết diode cộng hưởng đường hầm. Sự phụ thuộc nhiệt độ Temperature and magnetic field dependences of device properties và từ trường của các đặc tính linh kiện cũng được đo và thảo luận. were .
