Trong đề tài này, tác giả tiến hành khảo sát các tính chất về cấu trúc, điện tử để tìm giá trị tối ưu khi cho pha tạp nguyên tử K với chất nền SiNRs bằng hình thức hấp phụ trên bề mặt chất nguyên sơ. | Tạp chí Khoa học Đại học Thủ Dầu Một Số 1 68 -2024 ỨNG DỤNG KỸ THUẬT MÔ PHỎNG CẤU TRÚC VẬT LIỆU NANO TRÊN HPC NGHIÊN CỨU CÁC TÍNH CHẤT KHI CHO KALI PHA TẠP SILICENE 1D Nguyễn Thanh Tùng 1 Cao Thanh Xuân 1 1 Trường Đại học Thủ Dầu Một Ngày nhận bài 15 12 2023 Ngày gửi phản biện 20 12 2023 Chấp nhận đăng 4 02 2024 Liên hệ email xuanct@ https Tóm tắt Trong đề tài này chúng tôi tiến hành khảo sát các tính chất về cấu trúc điện tử để tìm giá trị tối ưu khi cho pha tạp nguyên tử K với chất nền SiNRs bằng hình thức hấp phụ trên bề mặt chất nguyên sơ. Các vị trí đặc biệt được xem xét là top valley bridge và hollow để đặt nguyên tử K với độ dài liên kết Si-Si từ 2 5 Å đến 3 0 Å và cho thấy vị trí hollow ứng với độ dài liên kết là 2 29 Å đạt tối ưu với mức năng lượng -1 66 eV thấp nhất momen từ có giá trị 0 39µB và có cấu trúc bền nhất so với các vị trí khác. Sản phẩm hợp chất thu được sau pha tạp có độ rộng vùng cấm rất đa dạng phù hợp với việc chế tạo các linh kiện điện tử thế hệ mới hay các thiết bị spin. Từ khoá K hấp phụ hoá học Kali hấp phụ Silicene Kali pha tạp SiRNs Abstract APPLYING NANOMATERIAL STRUCTURE SIMULATION TECHNIQUES TO HPC STUDY THE PROPERTIES WHEN POTASSIUM IS DOPED WITH 1D SILICENE In this project we looked into the electronic and structural properties to find the best value for adding K atoms to a SiNR substrate by adsorption on the surface of a clean material. Special positions considered are peak valley bridge and hollow to place K atoms with Si-Si bond lengths from Å to Å and choose the hollow position corresponding to the long bond. As a result Å reaches the optimum with the lowest energy of eV the magnetic moment has a value of µB and has the most stable structure compared to other positions. Compound products produced after doping have a very diverse range of prohibitions suitable for creating new-generation electronic systems or spin devices. 37 http .
