Trong nghiên cứu này, kĩ thuật dựa trên dung dịch được dùng để chế tạo dây nano Si trực tiếp trên đế Si (100) trong thời gian rất ngắn với các bước thí nghiệm đơn giản, sử dụng bạc là chất xúc tác và tiến hành ở nhiệt độ phòng, áp suất khí quyển. | ISSN 1859-1531 - TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ - ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG VOL. 19 NO. 9 2021 59 CHẾ TẠO DÂY NANO TRÊN ĐẾ Si BẰNG PHƯƠNG PHÁP HOÁ HỌC ĐƠN GIẢN VỚI THỜI GIAN CHẾ TẠO RẤT NGẮN FABRICATION OF Si NANOWIRES BY A SIMPLE CHEMICAL PROCESS WITH VERY SHORT FABRICATION TIME Mai Thị Kiều Liên1 1 Trường Đại học Sư phạm - Đại học Đà Nẵng Tác giả liên hệ mtklien@ Nhận bài 15 4 2021 Chấp nhận đăng 05 7 2021 Tóm tắt - Để sản xuất dây nano Si có năng suất cao ở quy mô lớn Abstract - To produce high-yield Si nanowires at a large scale với chi phí thấp giải pháp hợp lí là dùng các kĩ thuật dựa trên and low cost a reasonable solution is to use solution-based dung dịch. Trong nghiên cứu này kĩ thuật dựa trên dung dịch techniques. In this study a solution-based technique was used to được dùng để chế tạo dây nano Si trực tiếp trên đế Si 100 trong fabricate Si nanowires directly on Si 100 substrates in a very thời gian rất ngắn với các bước thí nghiệm đơn giản sử dụng bạc short time with simple experimental steps using silver as là chất xúc tác và tiến hành ở nhiệt độ phòng áp suất khí quyển. the catalyst and performed at room temperature atmospheric Các kết quả thực nghiệm cho thấy độ dài và độ hấp thụ của dây pressure. The experimental results showed that the length nano Si tăng theo thời gian nhúng trong dung dịch ăn mòn hoá and absorptance of Si nanowires increased with dipping time in học. Tuy nhiên thời gian ăn mòn không làm ảnh hưởng đến chất etchant solution. However the etching time did not affect lượng của các dây nano Si. Phương pháp hoá học đơn giản này the quality of the Si nanowires. This simple chemical method cũng được thử nghiệm trên đế Ge 100 nhưng không thành công. was also tested on Ge 100 substrates but unsuccessful. Để chế tạo dây nano Ge cần dùng dung dịch ăn mòn hoá học khác Fabrication of Ge nanowires requires different etchant solution or hoặc thử nghiệm bằng phương pháp khác. other methods. Từ khóa - Dây nano Si kĩ thuật khắc hoá học ăn mòn hoá .
