Highly efficient two-step nitrogen doping of graphene oxide-based materials in oxygen presence atmosphere for high-performance transistors and electrochemical applications

Nitrogen content in graphene influences application performance. Although many studies have been conducted on single-process nitrogen (N)-doping, dopant content is still quite low. First, graphene oxide (GO) was hydrothermally nitrogen-doped. This nitrogen-doped reduced graphene oxide (NrGO) was then subjected to secondary plasma treatment. Two nitrogen(N)-doping mechanisms were observed depending on graphene's oxygen functionalized. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.