Một linh kiện quang tử ghép/tách hai mode thấp nhất cho ánh sáng phân cực từ ngang (TM) và điện ngang (TE), được tạo ra dựa trên bộ ghép chữ Y bất đối xứng trong cấu trúc dẫn sóng nóc/đỉnh nền tảng SOI. Thông qua các phương pháp mô phỏng số (3D-BPM và EIM), linh kiện đề xuất có thể hoạt động trong một dải bước sóng rộng đến 220 nm với suy hao chèn kênh (), nhiễu xuyên kênh () và suy hao không phụ thuộc phân cực lần lượt là > - dB, | NGHIÊN CỨU KHOA HỌC Linh kiện quang tử ghép tách hai mode không phụ thuộc phân cực sử dụng bộ ghép chữ y bất đối xứng Polarization-independent dual-mode coupling decoupling photonic device using asymmetric y-couplers Dương Quang Duy1 Trương Cao Dũng1 Chử Đức Hoàng2 Nguyễn Trọng Các4 Nguyễn Tuấn3 Email duydq@ 1 Học viện Công nghệ Bưu chính Viễn thông Hà Nội 2 Công ty Cổ phần Zinmed Việt Nam 3 Trường Bồi dưỡng Cán bộ quản Lý văn hóa Thể thao và Du lịch 4 Trường Đại học Sao Đỏ Ngày nhận bài 19 10 2021 Ngày nhận bài sửa sau phản biện 20 12 2021 Ngày chấp nhận đăng 31 12 2021 Tóm tắt Một linh kiện quang tử ghép tách hai mode thấp nhất cho ánh sáng phân cực từ ngang TM và điện ngang TE được tạo ra dựa trên bộ ghép chữ Y bất đối xứng trong cấu trúc dẫn sóng nóc đỉnh nền tảng SOI. Thông qua các phương pháp mô phỏng số 3D-BPM và EIM linh kiện đề xuất có thể hoạt động trong một dải bước sóng rộng đến 220 nm với suy hao chèn kênh nhiễu xuyên kênh và suy hao không phụ thuộc phân cực lần lượt là gt - dB lt - 20 dB và PDL lt dB. Cùng với kích cỡ 3 60 μm và sai số chế tạo 50 nm linh kiện hoàn toàn có thể được chế tạo bởi các công nghệ CMOS hiện tại để có thể áp dụng vào trong một hệ thống ghép kênh phân chia theo mode MDM. Từ khóa Linh kiện quang tử phân cực mode ánh sáng giao thoa đa mode trường điện từ ngang. Abstract A lowest level two-mode coupled decoupled photonic device for transversely magnetic TM and electrically polarized TE light generated based on an asymmetric Y-coupler in the base top peak waveguide structure SOI platform. Through numerical simulation methods 3D-BPM and EIM the proposed device can operate in a wide wavelength range up to 220 nm with channel insertion loss IL interchange interference . and polarization- independent loss are IL gt - dB lt - 20 dB and PDL lt dB respectively. Together with the 3 60 μm size and 50 nm fabrication error the device can be fabricated using current CMOS .
