A UV-emitting and -sensing device from ZnGa2O4 oxide layer in metal-oxide-semiconductor structure

In this study, we introduced for the first time a bi-functional device based on the ZGO optical material in a metal-oxidesemiconductor (MOS) structure, which can be used as an EL and PD device depending on the electric configurations. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
78    75    1    27-04-2024
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.