Mục tiêu của luận án là nghiên cứu và hiểu được một số hiện tượng, tính chất vật lý của vật liệu nano lai hóa giữa Si và Ge trong nền SiO2 vô định hình. Làm chủ được công nghệ chế tạo và chế tạo thành công hệ vật liệu nano lai hóa giữa Si và Ge có thành phần thay đổi, từ đó nghiên cứu phân tích được ảnh hưởng của các điều kiện chế tạo, thành phần, kích thước lên các tính chất vật lý của chúng. | Luận án tiến sĩ Kỹ thuật: Chế tạo nano tinh thể hợp kim SiGe trên nền SiO2 và nghiên cứu một số tính chất của chúng MỤC LỤC Trang MỤC LỤC . i DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT . iv DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU. v DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ . vi MỞ ĐẦU 1 Chương 1. Tổng quan về vật liệu bán dẫn Ge và Si . 9 . Cấu trúc vùng năng lượng và quá trình tái hợp phát xạ của các hạt tải điện trong vật liệu bán dẫn . 9 . Cấu trúc vùng năng lượng vật liệu bán dẫn 9 . Quá trình tái hợp bức xạ trong vật liệu bán dẫn . 10 . Các vật liệu bán dẫn Ge và Si và sự tương đồng giữa. 15 . Vật liệu bán dẫn Ge 16 . Vật liệu bán dẫn Si . 20 . Vật liệu SiO2 24 . Sự lai hóa giữa vật liệu Si và Ge . 25 . Vật liệu kích thước nano 25 . Sự lai hóa giữa vật liệu nano Si và Ge .
