Effect of the ceria dopant on the structural and dielectric properties of ZnO semiconductors

ZnO doped with different concentrations (2, 4, 6, 8 and 10%) of ceria was synthesized by the conventional solidestate reaction method. X-ray diffraction spectra confirm that all the samples have a hexagonal structure. The structural properties of the samples were studied from X-ray diffraction data. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.