A reliable high-speed compact in-memory matching circuit for CAM-application based on NV-RAM

This paper presents an effective approach for implementing content address memory (CAM) based on Nonvolatile random-access memory (NV-RAM) technologies. We used the 2T-2R bitcell structure implemented on a 65nm CMOS process with a special in-memory matching circuit for realizing low-delay and energy-efficient lookup operations. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.