Investigation of optical gain in Eu-doped GaN thin film grown by OMVPE method

In this study, we present results of our recent research on optical properties of the Eu-doped GaN sample grown by organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE) method and estimate the optical gain coefficients for the Eu-related emission. |

Bấm vào đây để xem trước nội dung
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.